Базовые кафедры: Кафедра (филиал) "Технология материалов"
4. Базовая кафедра «Технология материалов» Саратовского государственного университета им. Н.Г. Чернышевского Место нахождения: СФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН |
||
Данные по учреждению РАН: Ф.И.О руководителя, ученая степень Филимонов Юрий Александрович, д.ф-м.н., профессор Кол-во привлеченных научных сотрудников - 5 2016 - 6, 2017 - 6, 2012 – 6, 2018 - 5 Кол-во членов РАН (ак., чл.-корр. РАН) - нет Кол-во студентов, проходящих обучение - 8 2016 - 11, 2017 – 11, 2018 – 8
|
Данные по Вузу-партнеру: Вуз СГУ Факультет Электронной техники и приборостроения Кафедра Электронные приборы и устройства Кол-во привлеченных преподавателей –5
|
|
1. Учебная технологическая практика. Факультет нано- и биомедицинских технологий Курс 4. Группа 441. Количество студентов 20. Специальность 210601 «Нанотехнология в электронике». Содержание практики: а) технологические процессы получения композитных наноматериалов и сверхрешеток с квантовыми точками на основе различных аллотропных фаз углерода, кремния и его соединений в плазме микроволнового газового разряда низкого давления; б) технологические методики получения атомно-чистых поверхностей пластин кремния различных кристаллографических ориентаций с использованием низкоэнергетичной химически активной плазмы СВЧ газового разряда; в) методы зондовой диагностики поверхности твердого тела (атомно силовая, туннельная и лазерно –эллипсометрическая микроскопия); г) освоение экспериментальных методик и исследования оптических свойств и механизмов переноса носителей в высокоомных полупроводниковых пленочных структурах содержащих и не содержащих квантовые точки (ВАХ, энергии активации и др.); д) устройства, принципы построения и технологические приемы создания солнечных элементов на основе а-Si: H, а также оптоэлектронных устройств на основе явления электролюминисцеции и одноэлектронного транспорта в нанокомпозитных пленочных структурах на основе гидрогенезированного карбида кремния с включениями кремниевых нанокластеров. Преподаватель - д.т.н. Яфаров Р.К.
2. Учебная ознакомительная практика. Факультет нано- и биомедицинских технологий Курс 2. Количество студентов 17. Специальность 210100 «Электроника и наноэлектроника». Содержание практики: а) ознакомление с основными направлениями работы и технологиями структурных подразделений СФ ИРЭ РАН и Образовательно-Научного Института наноструктур и биосистем СГУ им. Н.Г. Чернышевского. б) ознакомление с современными достижениями в области создания современной элементной базы микро- и наноэлектроники, новых нанотехнологий и наноматериалов, а также методов исследования физических свойств нанокомпозитных материалов и наносистем. в) ознакомление со структурой и содержанием баз данных, созданных в СФ ИРЭ РАН по направлению «Наноэлектроника» в рамках создания национальной телекоммуникационной системы сбора, хранения, обработки и управления потоками научных и технологических данных для наноиндустрии Российской Федерации, г) ознакомление с технологическими методиками и оборудованием для реализации и контроля нанотехнологических процессов в наноэлектронике, имеющихся в СФ ИРЭ РАН, тематикой совместных исследовательских работ СФ ИРЭ РАН и Образовательного-Научного Института наноструктур и биосистем Саратовского госуниверситета. Количество лабораторно-практических занятий -90 Преподаватель - д.т.н. Яфаров Р.К.
Сотрудники филиала кафедры участвуют в выполнении проекта «Метаматериалы», руководитель чл.-корр РАН Никитов С.А., поддерживаемый в рамках гранта Правительства России для государственной поддержки научных исследований, проводимых под руководством ведущих ученых в российских вузах Сотрудники лаборатории ведут лекционные занятия по курсам «Твердотельные электронные датчики внешних воздействий» и «Материалы датчиков внешних воздействий» и практические занятия курсам «Материалы датчиков внешних воздействий», «Твердотельные электронные датчики внешних воздействий» и «Действие ионизирующих излучений на материалы» со студентами кафедры материаловедения, технологии и управления качеством, кафедры физики полупроводников СГУ. |