 | На уровень вверх |
Афанасьев М.С., Левашов С.А., Левашова А.И., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В., Набиев А.Э. Выбор оптимального технологического режима формирования сегнетоэлектрических пленок на кремниевых подложках. СОВРЕМЕННЫЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ , 2014 , 2 (15). С. 128-129. ISSN 2308-8060
Гарбер Г.З., Дорофеев А.А., Зубков А.М., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А., Зяблюк К.Н., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В. О проблеме создания сверхвысокочастотных мощных полевых транзисторов на основе алмаза. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2014 , 59 (4). С. 411-416. ISSN 0033-8494
Гольдман Е.И., Левашова А.И., Левашов С.А., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. Измерения высокочастотного импеданса структур «металл – диэлектрик – полупроводник» со сверхтонким оксидом. СОВРЕМЕННЫЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ , 2014 , 2 (15). С. 130-131. ISSN 2308-8060
Гуляев Ю.В., Митягин А.Ю., Чучева Г.В., Афанасьев М.С. Принципы создания линий задержки сверхвысокочастотного диапазона на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2014 , 59 (1). С. 96-101. ISSN 0033-8494
Гуляев Ю.В., Митягин А.Ю., Чучева Г.В., Афанасьев М.С., Зяблюк К.Н., Талипов Н.Х., Недосекин П.Г., Набиев А.Э. Полевой транзистор на гидрированной поверхности алмаза. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2014 , 59 (3). С. 304-310. ISSN 0033-8494
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук (RU) Малогабаритный фазовращатель СВЧ-диапазона. 2510551, 2014.
Российская Федерация, от им. которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации Гибридная фоточувствительная схема (ГФС). 2519052, 2014.
