Объекты для подразделения "251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел" с годом 2013

На уровень вверх
Экспорт в [feed] Atom [feed] RSS 1.0 [feed] RSS 2.0
Группировка по: Авторы | Тип объекта | Нет группировки
Перейти к: А | Г | З | Х
Количество объектов: 10.

А

Афанасьев М.С., Бугаев А.С., Захарченко К.В., Зяблюк К.Н., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В., Набиев А.Х. Пассивные элементы сверхвысокочастотных интегральных схем (СВЧ ИС) на алмазе (часть 1). Микрополосковые линии передачи на алмазе. УСПЕХИ СОВРЕМЕННОЙ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ , 2013 (6). С. 53-60. ISSN 2070-0784

Афанасьев М.С., Георгиева А.И., Левашов С.А., Митягин А.Ю., Чучева Г.В. Диэлектрическая проницаемость МДМ-структур на основе сегнетоэлектрических пленок. In: 14 Международная научно-практическая конференция «Современные информационные и электронные технологии»., 27-31 мая 2013 г., г. Одесса, Украина , Политехпериодика (Одесса) , С. 200-201.

Афанасьев М.С., Левашов С.А., Митягин А.Ю., Чучева Г.В., Набиев А.Э. Расчет теплофизических параметров и технология формирования МПЛ СВЧ диапазона. Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика. , 2013 , 13 (1). С. 9-12. ISSN 1817-3020

Афанасьев М.С., Митягин А.Ю., Митягина А.Б., Набиев А.Э., Чучева Г.В. Оценка показателей эффективности фотоприемного устройства УФ- и ИК- диапазона на основе тонкопленочных сегнетоэлектрических и алмазных материалов. ИЗВЕСТИЯ АКАДЕМИИ ИНЖЕНЕРНЫХ НАУК ИМ. А.М. ПРОХОРОВА , 2013 (3). С. 74-81. ISSN 2307-163X

Афанасьев М.С., Митягин А.Ю., Чучева Г.В. Вольтфарадные характеристики МДП-структур на основе сегнетоэлектрических пленок. Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика. , 2013 , 13 (1). С. 7-9. ISSN 1817-3020

Г

Гуляев Ю.В., Митягин А.Ю., Фещенко В.С., Чучева Г.В. Двухспектральные алмазные гибридные фотоприемники. Доклады Академии Наук , 2013 , 450 (4). С. 401-405. ISSN 0869-5652

З

Зяблюк К.Н., Концевой Ю.А., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В. Параметры алмазных полевых транзисторов, необходимые для работы в усилителях ГГц диапазона. ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. СЕРИЯ 2: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ , 2013 , 1 (230). С. 3-8. ISSN 2073-8250

Зяблюк К.Н., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В., Набиев А.Э. Предельные параметры транзистора на основе гидрированного алмаза. In: 14 Международная научно-практическая конференция «Современные информационные и электронные технологии»., 27-31 мая 2013 г., г. Одесса, Украина , Политехпериодика (Одесса) , С. 233-235.

Зяблюк К.Н., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В., Набиев А.Э. Моделирование работы транзистора на основе алмаза с проводящим d-легированным слоем. In: 14 Международная научно-практическая конференция «Современные информационные и электронные технологии», 27-31 мая 2013 г., г.Одесса, Украина , Политехпериодика (Одесса) , С. 230-232.

Х

Хлопов Б.В., Гуляев Ю.В., Митягин А.Ю., Чучева Г.В. Комплексный способ уничтожения информации с флеш носителей. ИЗВЕСТИЯ АКАДЕМИИ ИНЖЕНЕРНЫХ НАУК ИМ. А.М. ПРОХОРОВА , 2013 (3). С. 65-73. ISSN 2307-163X

Этот список был создан Tue Nov 5 21:12:28 2024 GMT-3.