 | На уровень вверх |
Айтхожин С.А., Артёмов А.С., Белоусов П.С., Бобылев М.А., Каевицер Е.В., Любченко В.Е., Петров К.П., Темиров Ю.Ш., Фарафонов С.Б. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия на подложках из антимонида никеля. Неорганические материалы, 2015, т.51, №2, с. 121-125. Неорганические материалы , 2015 , 51 (2). С. 121-125.
Айтхожин С.А., Артёмов А.С., Белоусов П.С., Бобылёв М.А., Каевицер Е.В., Любченко В.Е.,, Петров К.П., Темиров Ю.Ш., Фарафонов С.Б. Эпитаксиальный рост арсенида галлия на подложках из NiSb . Ж. Нелинейный мир 2015, т. 13, №2, с.14-15. Нелинейный мир , 2015 , 13 (2). С. 14-15.
Дворянкин В.Ф., Дворянкина Г.Г., Дикаев Ю.М., Кудряшов А.А., Петров А.Г., Телегин А.А. Многопиксельный линейный детектор рентгеновского излучения на основе монокристаллов CdZnTe. Микроэлектроника, 2015, том 44, № 4, с. 275-277. Микроэлектроника , 2015 , 44 (4). С. 275-277.
Дикаев Ю.М., Кудряшов А.А., Петров А.Г. Разработка, создание и исследование детекторов рентгеновского излучения на основе полупроводниковых материалов. Технический отчет. ФИРЭ, ФИРЭ, 2015.
