Объекты для подразделения "196 лаб. спин-волновых процессов в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн" с годом 2016

K

Kozlovsky V.I., Krivobok V.S., Kuznetsov P.I., Nikolaev S.N., Onistchenko E. E., Pruchkina A.A., Temiryazev A. G., Chentsov S. I. Exciton emission of crystalline Zn(S)Se thin films arranged in microcavities based on amorphous insulating coatings. Semiconductors , 2016 , 50 (1). С. 8-15. ISSN ISSN 1063-7826

Kuznetsov P.I., Luzanov V.A., Yakusheva G.G., Temiryazev A.G., Shchamkhalova B.S., Zhitov V.A., Zakharov L.Yu. Deposition of Heteroepitaxial Layers of Topological Insulator Bi2Se3 in the Trimethylbismuth–Isopropylselenide–Hydrogen System on the (0001) Al2O3 and (100) GaAs Substrates. Journal of Communications Technology and Electronics , 2016 , 61 (2). С. 183-189. ISSN 1064-2269

Kuznetsov P.I., Yakushcheva G.G., Shchamkhalova B.S., Luzanov V.A., Temiryazev A.G., Jitov V.A. Metalorganic vapour phase epitaxy of ternary rhombohedral (Bi1−xSbx)2Se3 solid solutions. Journal of Crystal Growth , 2016 , 433. С. 114-121.

S

Sukhanova T. E., Temiryazeva M. P., Vylegzhanina M. E., Valueva S. V., Volkov A. Ya., Kutin A. A., Temiryazev A. G. Examination of biogenic selenium-containing nanosystems based on polyelectrolyte complexes by atomic force, Kelvin probe force and electron microscopy methods. AIP Conference Proceedings , 2016 , 1748. 020003. ISSN 0094-243X

T

Temiryazev Alexei, Bozhko Sergey I., Robinson A. Edward, Temiryazeva Marina Fabrication of sharp atomic force microscope probes using in situ local electric field induced deposition under ambient conditions. REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS , 2016 , 87 (11).

З

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Темирязев А.Г., Темирязева М.П. Магнитонезависимые спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур In(Ga)As/GaAs и ферромагнитного инжектора CoPt. In: МXX Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, 14-18 марта 2016 г., Нижний Новгород , С. 206-207.

К

Козловский В.И., Кривобок В.С., Кузнецов П.И., Николаев С.Н., Онищенко Е.Е., Пручкина А.А., Темирязев А.Г., Мартовицкий В.П. Формирование и реконструкция наноостровков Se на поверхности тонких эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных на подложках GaAs. Физика и техника полупроводников , 2016 , 50 (5). С. 700-705.

Кузнецов П.И., Лузанов В.А., Якущева Г.Г., Темирязев А.Г., Щамхалова Б.С., Житов В.А., Захаров Л.Ю. Осаждение гетероэпитаксиальных слоев топологического диэлектрика Bi2Se3 в системе триметилвисмут – изопропилселенид – водород на подложках (0001) Al2O3, и (100) GaAs. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2016 , 61 (2). С. 170-176. ISSN 0033-8494

С

Суханова, Т.Е., Темирязева М.П., Вылегжанина М.Э., Валуева С.В., Кутин А.А., Волков А.Я., Темирязев А.Г. Зондовые методы в исследовании биологически активных селенсодержащих полимерных наносистем. In: XXVI Российская конференция по электронной микроскопии, 30 мая - 3 июня 2016 г., г. Москва Зеленоград, , С. 640-641.

Т

Темирязев А.Г., Божко С.И., Темирязева М.П. Создание острых зондов с помощью сканирующего зондового микроскопа. In: XX Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, 14-18 марта 2016 г., Нижний Новгород , С. 326-327.

Темирязева М.П., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Темирязев А.Г. Структурирование магнитных пленок CoPt с помощью АСМ. In: XX Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, 14-18 марта 2016 г., Нижний Новгород , С. 328-329.