Объекты для подразделения "194 лаб. низкоразмерных атомных структур" с годом 2016

F

Fedotov N. I., Zaitsev-Zotov S. V. Energy gap in tunneling spectroscopy: effect of the chemical potential shift. JETP Letters , 2016 . С. 1-6. ISSN 0021-3640

I

Ilin A.S., Cohn I.A., Vystavkin A. N., Kovalenko A.G. Thin-film ruthenium microstructures for transition edge sensors. In: Международная конференция "Микро- и наноэлектроника – 2016" (ICMNE-2016)

Ilin A.S., Cohn I.A., Vystavkin A.N., Kovalenko A.G. Thin film ruthenium microstructures for transition edge sensors. Proc. SPIE 10224, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2016 , 2016 , 10224. 102240S. ISSN 0277-786X

З

Зыбцев С.Г., Покровский В.Я., Насретдинова В.Ф., Зайцев-Зотов С.В., Павловский В.В., Одобеско А.Б., Пай Воей Ву, Чу М.В., Лин Й.Г., Зупанич Э, ван Мидден Х.Дж.П., Штурм С., Чернышёва Е., Продан А., Беннет Дж.С., Мухамедшин И.Р., Чернышёва О.В., Менушенков А.П., Абдель-Хафиз М. NbS3 – a unique quasi one-dimensional conductor with three charge density wave transitions. In: Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления, 3 июня 2016 г., Троицк , Москва, ФИАН , С. 8-9.

Зыбцев С.Г., Покровский В.Я., Насретдинова В.Ф., Зайцев-Зотов С.В., Пай Воей Ву Photoeffects in quasi one-dimensional conductor NbS3 with charge density waves. In: International Research School “Electronic States and Phases Induced by Electric or Optical Impacts, IMPACT-2016, 23.8-3.9.2016, Cargese, France , р. 160.

К

Кон И.А., Ильин А.С., Коваленко А.Г. Миниатюрный параллельный микроманипулятор. Журнал радиоэлектроники , 2016 (11). ISSN 1684-1719

М

Минакова В.Е., Насретдинова В.Ф., Талденков А.Н., Никитина А.М., Пвловский В.В. Синтез квазиодномерных проводников с волной зарядовой плотности и изучение в них коллективного и одночастичного механизмов переноса заряда с помощью фотопроводимости. Отчет по проекту. Российский Фонд Фундаментальных Исследований, Москва, Россия, 2016.

Минакова В.Е., Никитина А.М., Зайцев-Зотов С.В. Стимулированное термоциклированием повышение качества кристаллов пайерлсовского проводника ромбического TaS3. In: XIV Конференция «Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления, 3 июня 2016, Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, г. Троицк , Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, г. Троицк , р. 21.

Ф

Федотов Н.И., Зайцев-Зотов С.В. Энергетическая щель в туннельной спектроскопии: влияние сдвига уровня химического потенциала. Письма в ЖЭТФ , 2016 , 104 (11). С. 820-825. ISSN 0370-274X