Объекты для подразделения "176 лаб. твердотельной электроники миллиметрового диапазона" с годом 2021

Статья

Bryantseva T.A., Lyubchenko V.E., Markov I.A., Ten Yu.A., Gulyaev Y.V. INFLUENCE OF FINISHING THE SURFACE OF GAAS ON THE PROPERTIES OF AU–GAAS INTERFACES. Journal of Communications Technology and Electronics , 2021 , 66 (11). С. 1289-1295. ISSN 1064-2269

Белоусов П.С., Бобылёв М.А., Ковалев В.И., Каевицер Е.В., Любченко В.Е. Гетеропереход GaAs-SnAs-Sn. НАНОИНДУСТРИЯ , 2021 , 14 (S7). С. 343-365. ISSN 1993-8578

Брянцева Т.А., Гуляев Ю.В., Любченко В.Е., Марков И.А., Тен Ю.А. Влияние финишной обработки поверхности GaAs на свойства границ раздела Au-GaAs. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2021 , 66 (11). С. 1125-1132. ISSN 0033-8494

Брянцева Т.А., Марков И.А., Тен Ю.А. Исследованиe трансформации приповерхностных слоев арсенида галлия под воздействием света с помощью поверхностных акустических волн. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2021 , 66 (5). С. 490-499. ISSN 0033-8494

Патент

ФИРЭ им. В.А.Котельникова РАН Эпитаксиальная гетероструктура на арсениде галлия с контактами металл-полупроводник. Заявка № 2021108864, 2021.