Объекты для подразделения "176 лаб. твердотельной электроники миллиметрового диапазона" с годом 2021

B

Bryantseva T.A., Lyubchenko V.E., Markov I.A., Ten Yu.A., Gulyaev Y.V. INFLUENCE OF FINISHING THE SURFACE OF GAAS ON THE PROPERTIES OF AU–GAAS INTERFACES. Journal of Communications Technology and Electronics , 2021 , 66 (11). С. 1289-1295. ISSN 1064-2269

Б

ФИРЭ им. В.А.Котельникова РАН Эпитаксиальная гетероструктура на арсениде галлия с контактами металл-полупроводник. Заявка № 2021108864, 2021.

Белоусов П.С., Бобылёв М.А., Ковалев В.И., Каевицер Е.В., Любченко В.Е. Гетеропереход GaAs-SnAs-Sn. НАНОИНДУСТРИЯ , 2021 , 14 (S7). С. 343-365. ISSN 1993-8578

Брянцева Т.А., Гуляев Ю.В., Любченко В.Е., Марков И.А., Тен Ю.А. Влияние финишной обработки поверхности GaAs на свойства границ раздела Au-GaAs. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2021 , 66 (11). С. 1125-1132. ISSN 0033-8494

Брянцева Т.А., Марков И.А., Тен Ю.А. Исследованиe трансформации приповерхностных слоев арсенида галлия под воздействием света с помощью поверхностных акустических волн. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2021 , 66 (5). С. 490-499. ISSN 0033-8494