Объекты, где автором является "Щамхалова Б.С."

Статья

Кузнецов П.И., Лузанов В.А., Якущева Г.Г., Темирязев А.Г., Щамхалова Б.С., Житов В.А., Захаров Л.Ю. Осаждение гетероэпитаксиальных слоев топологического диэлектрика Bi2Se3 в системе триметилвисмут – изопропилселенид – водород на подложках (0001) Al2O3, и (100) GaAs. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2016 , 61 (2). С. 170-176. ISSN 0033-8494