 | На уровень вверх |
Гольдман Е.И., Чучева Г.В., Шушарин И.А. Форма изолирующего потенциала, создаваемого сверхтонкими слоями окисла кремния. Физика и техника полупроводников , 2021 , 56 (3). С. 328-334. ISSN 0015-3222
Афанасьев М.С., Белорусов Д.А., Шушарин И.А. Условия формирования сегнетоэлектрических пленок методом ВЧ напыления. In: Сборник тезисов. II международная научно-техническая конференция «ОПТО-, МИКРО- И СВЧ- ЭЛЕКТРОНИКА–2022», 21-23 сентября 2022г., Беларусь, г. Минск , р. 17.
Гольдман Е.И., Чучева Г.В., Шушарин И.А. Форма изолирующего потенциала, создаваемого сверхтонкими слоями окисла кремния. In: 32-я Международная конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 11-17 сентября 2022год, Крым, г. Севастополь (В прессе)
Афанасьев М.С., Белорусов Д.А., Шушарин И.А., Чучева Г.В. Влияние материала верхнего электрода на электро- физические свойства МДП структур на основе сегнетоэлектрических пленок. In: Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика». XV Всероссийская научная конференциямолодых ученых (Саратов–2020.8-10 сентября) к, 8 - 10 сентября 2020, Саратов , Саратов, издательство «Техно-Декор» , С. 37-38.
