 | На уровень вверх |
Смирнов В.И., Ходаков А.М., Гавриков А.А. Исследование процессов теплопередачи между кристаллом кремния и медной подложкой. Автоматизация процессов управления , 2023 .
Смирнов В.И., Ходаков А.М., Гавриков А.А. Теплоэлектрические процессы в многокристальных системах. Журнал радиоэлектроники. – 2023. – №. 11. , 2023 . ISSN ISSN 1684-1719
Ходаков А.М., Фролов И.В., Шуравин А.Д. Тепловое моделирование многокристальной полупроводниковой системы. In: 25-я Всероссийская молодежная научная конференция «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники», 24-26 октября 2023 г., г.Ульяновск , С. 24-25.
Ходаков А.М., Низаметдинов А.М., Васин С.В., Сергеев В.А. Теплопроводность пленок поливинилового спирта с углеродными нанотрубками. In: 25-я Всероссийская молодежная научная конференция «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники», 24-26 октября 2023 г., г.Ульяновск , С. 38-39.
Гавриков А.А., Ходаков А.М., Смирнов В.И. Моделирование тепловых и термомеханических процессов в транзисторных модулях. In: 26-я Всероссийская молодежная научная конференция «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники», 24-26 октября 2023 г., г.Ульяновск , С. 18-20.
Гавриков А.А., Ходаков А.М., Смирнов В.И. Измерение температуры перегрева кристалла транзисторного модуля. In: 26-я Всероссийская молодежная научная конференция «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники», 24-26 октября 2023 г., г.Ульяновск , С. 21-23.
Смирнов В.И., Ходаков А.М., Гавриков А.А. Моделирование теплоэлектрических процессов в силовых модулях на MOSFET-транзисторах. РЭНСИТ: Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии, 2023, 15(2)117-124 , 2023 .
Сергеев В.А., Ходаков А.М. Теплоэлектрическая модель гетеропереходного биполярного транзистора с учетом падения напряжения на сопротивлении токоведущей металлизации. Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии. – 2022. Т. 14 № 2. – С. 103–110. , 2022 .
Сергеев В.А., Ходаков А.М. Двухсекционная модель токораспределения в полосковых структурах биполярных и гетеробиполярных СВЧ транзисторов. Радиотехника и электроника. – 2022. – № 11. – С. 1146–1151. , 2022 .
Ходаков А.М., Сергеев В.А. Тепловая модель гетеробиполярного транзистора с учетом распределения плотности тока вдоль эмиттерных дорожек металлизации. Радиоэлектронная техника , 2022 . С. 92-96.
Шуравин А.Д., Ходаков А.М., Фролов И.В. Моделирование тепловых процессов в светодиодной матрице. Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика: сборник трудов XVIII Всероссийской конференции молодых ученых (г. Саратов, 13 15 сентября 2023 г.). – Саратов : Техно-Декор, 2022. – С. 212. , 2022 .
Литвинов К.А., Сергеев В.А., Ходаков А.М. Теплоэлектрическая модель мощного биполярного СВЧ транзистора с дефектом. In: 25-я Всероссийская молодежная научная конференция «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники», г.Ульяновск , р. 50.
Фролов И.В., Сергеев В.А., Ходаков А.М., Зайцев С.А. Исследование изменений характеристик бортового светодиодного светильника при термоциклировании и токовых испытаниях. Сборник трудов международного симпозиума «Надежность и качество», (г. Пенза, 24–31 мая 2021 г.). – Пенза: ПГУ. – 2021. С. 158–161. , 2021 .
Сергеев В.А., Ходаков А.М., Сальников М.Ю. Тепловая модель сквозного металлизированного отверстия печатной платы при одностороннем нагреве. Изв. вузов. Электроника. – 2021. –Т. 26, № 5. – С. 426–431. , 2021 .
Фролов И.В., Сергеев В.А., Ходаков А.М., Зайцев С.А. Исследование изменений характеристик светодиодных матриц бортового светильника при токовых испытаниях. Журнал радиоэлектроники [электронный ресурс] . – 2021. – №8. , 2021 .
Ходаков А.М., ТАРАСОВ Р.Г., Сергеев В.А., Куликов А.А. Термодеформационная модель субмодуля выходного усилителя мощности Х-диапазона. РЭНСИТ. – 2021. – 13(1). – С.13–18 , 2021 .
Зайцев С.А., Фролов И.В., Ходаков А.М., Сергеев В.А. Моделирование термодеформационных процессов в бортовых светодиодных светильниках. In: XV Всероссийской молодежной научно-инновационной школы «Математика и математическое моделирование»,, 13–15 апреля, 2021, Саров, 13–15 апреля, 2021 , Саров: ООО «Интерконтакт Наука»,
Куликов А.А., Литвинов К.А., Шуравин А.Д., Ходаков А.М. Влияние дефектов монтажа кристаллов на устойчивость мощных биполярных СВЧ-транзисторов к шнурованию тока. In: XV Всероссийской молодежной научно-инновационной школы «Математика и математическое моделирование»., Саров, 13–15 апреля, 2021 , Саров: ООО «Интерконтакт Наука», , С. 230-231.
Куликов А.А., ТАРАСОВ Р.Г., Сергеев В.А., Ходаков А.М. Моделирование мощности Х-диапазона. In: XV Всероссийской молодежной научно-инновационной школы «Математика и математическое моделирование»,, 13–15 апреля, 2021, Саров, 13–15 апреля, 2021 , Саров: ООО «Интерконтакт Наука», , С. 227-228.
Ходаков А.М., Фролов И.В. Тепловая модель светодиода при нагреве гетероструктуры лазерным излучением. In: 24-я Всероссийская молодежная научная конференция «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники» , С. 40-42.
Ходаков А.М., Фролов И.В., Сергеев В.А., РАДАЕВ О.А. Моделирование тепловых процессов, возникающих при воздействии импульсного лазерного излучения на InGaN/GaN светодиод. Радиоэлектронная техника: межвузов. сб. науч. тр. / под ред. В.А. Сергеева. – Ульяновск: УлГТУ.–2021. – С. 81–87. , 2021 .
Фролов И.В., РАДАЕВ О.А., Ходаков А.М., Сергеев В.А. Модель деградации InGaN/GaN светодиода при токовых испытаниях с учетом неоднородного распределения концентрации дефектов в гетероструктуре. тезисы докладов международной конференции ФизикА.СПб (Санкт-Петербург, 18–22 октября 2021 г.). – СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС. –2021. – С. 356–357 , 2021 .
Ходаков А.М., Тарасов Р.Г., Сергеев В.А., Козликова И.С. Зависимость термомеханических напряжений в субмодуле выходного усилителя мощности x-диапазона от параметров слоя адгезива. In: 24-я Всероссийская молодежная научная конференция «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники» , С. 47-48.
Ходаков А.М., Анисимов В.Г., Капустин А.И. Влияние СВЧ излучения на характеристики гетеропереходного светодиода. Актуальные проблемы физической и функциональной электроники: материалы 23-й Всеросс.молодежной науч.конф. (г. Ульяновск, 20-22 октября 2020 года). – Ульяновск: УлГТУ, 2020. – С. 176-179. , 2020 .
Ходаков А.М., Куликов А.А., ТАРАСОВ Р.Г. Влияние дефектов на токораспределение в мощных биполярных СВЧ транзисторах. Актуальные проблемы физической и функциональной электроники: материалы 23-й Всеросс.молодежной науч.конф. (г. Ульяновск, 20-22 октября 2020 года). – Ульяновск: УлГТУ, 2020. – С. 174-175. , 2020 .
Сергеев В.А., Смирнов В.И., Ходаков А.М., Куликов А.А., Тарасов Р.Г. Диагностика неоднородного токораспределения в структурах мощных СВЧ транзисторов по теплоэлектрическим характеристикам. In: Международный симпозиум "Надежность и качество" , С. 139-142.
Сергеев В.А., Ходаков А.М., Куликов А.А. Моделирование теплоэлектрических процессов в мощном МОП СВЧ транзисторе с дефектом структуры. In: VI Международная конференция и молодёжная школа «Информационные технологии и нанотехнологии» (ИТНТ-2020) , С. 126-132.
Фролов И.В., Зайцев С.А., Ходаков А.М., Сергеев В.А. Термодеформационные механизмы деградации электрооптических характеристик светодиодного светильника при ускоренных испытаниях. In: 23-я Всероссийская молодежная научная конференция «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники» , С. 50-51.
Ходаков А.М., Фролов И.В., Зайцев С.А., Сергеев В.А. Зависимость распределения температуры и термомеханических напряжений в конструкции светодиодного светильника от параметров режима работы. In: 23-я Всероссийская молодежная научная конференция «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники» , С. 52-53.
Сергеев В.А., Ходаков А.М., Фролов И.В. Модель деградации InGaN/GaN светодиода при токовых испытаниях с учетом неоднородного распределения температуры и плотности тока в гетероструктуре. РЭНСИТ. – 2020. – Т. 12, №3. – С. 319–324 , 2020 .
Ходаков А.М., Фролов И.В., Сергеев В.А. Модель деградации InGaN/GaN светодиода с учетом неоднородности распределения дефектов в гетероструктуре. Радиоэлектронная техника: межвузовский сборник науч. трудов. - Ульяновск: УлГТУ.- 2020. – С. 66-70. , 2020 .
Ходаков А.М., Смирнов В.И., Сергеев В.А., Гавриков А.А. Моделирование теплоэлектрических процессов в полупроводниковой структуре солнечного элемента. V Международная конференция и молодежная школа "Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2019)" , (Самара 21-24 мая 2019г.). – С. 231-234. , 2019 .
Швецова Д.Е., Ходаков А.М., Сергеев В.А. Нелинейная теплоэлектрическая модель солнечного элемента при работе в диодном режиме. Математика и математическое моделирование: сборник материалов XIII Всероссийской молодежной научно-инновационной школы, (Саров, 2-4 апреля 2019 г.).- С. 94-96. , 2019 .
Сергеев В. А., Смирнов В. И., Ходаков А.М., Куликов А.А., Черняков А.Е. Влияние дефектов структуры и конструкции на тепловые характеристики мощных биполярных СВЧ-транзисторов. Известия вузов. Электроника. – 2019. - №5. – С. 479-488. , 2019 .
Сергеев В.А., Ходаков А.М., Смирнов В.И. Теплоэлектрическая модель полупроводниковой структуры солнечного элемента. Радиоэлектронная техника: межвузовский сборник научных трудов. – Ульяновск : УлГТУ, 2019. – С. 48-53. , 2019 .
Ходаков А.М., Сергеев В.А., Фролов И.В. Влияние неоднородности распределения дефектов в структуре InGaN/GaN светодиода на оптическую мощность излучения. Радиоэлектронная техника: межвузовский сборник научных трудов. – Ульяновск : УлГТУ, 2019. – С. 54-58. , 2019 .
Сергеев В.А., ТАРАСОВ Р.Г., Ходаков А.М. Расчет и измерение тепловых параметров монолитных интегральных схем СВЧ-усилителей в составе выходных усилителей мощности X-диапазона. Журнал радиоэлектроники: электронный журнал , 2019 (9). ISSN 1684-1719
Веснин В.Л., Сергеев В.А., Ходаков А.М., Фролов И.В. Cтойкость гетеропереходного светоизлучающего прибора к воздействию СВЧ излучения. Журнал радиоэлектроники [электронный журнал] , 2018 (8).
Ходаков А.М., Гавриков А.А. Программа для ЭВМ, номер госрегистрации 2017614209 "Программа моделирования и расчета температурных полей в структуре полупроводникового изделия при воздействии мощного импульса электромагнитного излучения". роспатент, 2017.
Ходаков А.М., Сергеев В.А., Гавриков А.А. ОЦЕНКА СТОЙКОСТИ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ДИОДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НА НЕГО ПЕРИОДИЧЕСКОЙ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ СВЧ ИМПУЛЬСОВ. Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения , 2017 , 17 (3). р. 832.
Ходаков А.М., Гавриков А.А., Низаметдинов А.М. ТЕПЛОВАЯ МОДЕЛЬ ПОВРЕЖДЕНИЯ СВЕТОДИОДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НА НЕГО МОЩНОГО СВЧ ИЗЛУЧЕНИЯ. Актуальные проблемы физической и функциональной электроники материалы 20-й Всероссийской молодежной научной школы-семинара , 2017 . р. 48.
Ходаков А.М., Сергеев В.А. Оценка в рамках теплоэлектрической модели стойкости светодиода к воздействию периодической последовательности СВЧ импульсов. Журнал радиоэлектроники , 2017 (10).
Ходаков А.М., Сергеев В.А., Гавриков А.А. Теплоэлектрические процессы в гетеропереходном светоизлучающем диоде при воздействии на него мощного импульсного СВЧ излучения. Журнал радиоэлектроники , 2017 (3). р. 9.
Ходаков А.М., Сергеев В.А., Гавриков А.А., Низаметдинов А.М. ТЕПЛОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ДИода. Радиоэлектронная техника , 2017 (1). р. 64.
Сергеев В.А., Ходаков А.М. ТЕПЛОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ГЕТЕРОПЕРЕХОДНОГО СВЕТОДИОДА С УЧЕТОМ ТЕПЛОВЫДЕЛЕНИЯ В ПОДЛОЖКЕ. Прикладная математика и механика , 2017 (11). р. 253.
Гавриков А.А., Низаметдинов А.М., Ходаков А.М. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОВОГО ПОРАЖЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР МОЩНЫМ ЭМИ. МАТЕМАТИКА И МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ: сборник материалов , 2017 . р. 184.
Савицкая МД, Низаметдинов А.М., Ходаков А.М. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ПОЛЕЙ ПРИ КАЛИБРОВКЕ ТЕРМОПАР. МАТЕМАТИКА И МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ: сборник материалов , 2017 . р. 176.
Сергеев В.А., Ходаков А.М. Теплоэлектрическая модель InGaN/GaN светодиода с учетом влияния подложки гетероструктуры. Изв. вузов. Электроника , 2017 , 22 (6). С. 589-595.
Сергеев В.А., Ходаков А.М., Фролов И.В. Моделирование снижения оптической мощности InGaN/GaN светоизлучающего диода, вызванного диффузией примесных атомов в активную область. In: Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы: тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции, June 27 – July 1, 2017, Москва , р. 96.
Сергеев В.А., Ходаков А.М., МОЛГАЧЕВ А.А. Моделирование теплового поражения СВЧ диода мощным импульсом электромагнитного излучения. Известия вузов. Электроника. , 2016 , 21 (3). С. 289-292.
Сергеев В.А., Ходаков А.М. Динамическая теплоэлектрическая модель светоизлучающей структуры со слоем растекания тока. Физика и техника полупроводников , 2016 , 50 (8). С. 1100-1105.
Сергеев В.А., Ходаков А.М., Низаметдинов А.М., Гавриков А.А. ЭЛЕКТРОТЕПЛОВАЯ МОДЕЛЬ ОТКАЗА СВЕТОДИОДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НА НЕГО МОЩНОГО ИМПУЛЬСА СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЯ. Актуальные проблемы микро- и наноэлектроники: сборник IV Всерос.научной молодежной конф. , 2016 . р. 25.
Сергеев В.А., Ходаков А.М., ТАРАСОВ Р.Г. НЕСТАЦИОНАРНЫХ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ В ВЫХОДНЫХ УСИЛИТЕЛЯХ МОЩНОСТИ МОДУЛЕЙ АФАР. Математические методы и модели: теория, приложения и роль в образовании , 2016 . р. 133.
Сергеев В.А., Ходаков А.М. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕРМОДЕФОРМАЦИЙ КРИСТАЛЛА ГЕТЕРОПЕРЕХОДНОГО МОЩНОГО СВЕТОДИОДА. Радиоэлектронная техника , 2016 (1(9)). р. 35.
Сергеев В.А., Ходаков А.М., ТАРАСОВ Р.Г. МОДЕЛИРОВАНИЕ НЕСТАЦИОНАРНЫХ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ В ВЫХОДНЫХ УСИЛИТЕЛЯХ МОЩНОСТИ МОДУЛЕЙ АФАР. Математические методы и модели: теория, приложения и роль в образовании: сборник междунар.конф. , 2016 . р. 133.
Низаметдинов А.М., Низаметдинова РР, Ходаков А.М. УСТРОЙСТВО ГЕНЕРАЦИИ ТЕПЛОВЫХ ВОЗДЕЙСТВИЙ "ХОРС-01-3.0". Актуальные проблемы физической и функциональной электроники материалы 19-й Всероссийской молодежной научной школы-семинара , 2016 . р. 75.
Сергеев В.А., Ходаков А.М., Фролов И.В. ТЕПЛОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ И ОЦЕНКА НЕОДНОРОДНОСТИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ В СТРУКТУРЕ СВЕТОДИОДА ПО ТЕПЛОВЫМ ХАРАКТЕРИСТИКАМ. Радиоэлектронная техника , 2015 (2(8)). р. 56.
Сергеев В.А., Юдин ВВ, Ходаков А.М. ИЗМЕРЕНИЕ ТЕПЛОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК КМОП ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ В РЕЖИМЕ НАГРЕВА ЗАЩИТНЫХ ДИОДОВ. Современные проблемы проектирования, производства и эксплуатации радиотехнических систем , 2015 (1-2(9)). р. 176.
Сергеев В.А., Ходаков А.М. Теплоэлектрические модели мощных биполярных полупроводниковых приборов. Часть I. Теплоэлектрическая модель мощного биполярного высокочастотного транзистора с дефектами. Радиотехника и электроника , 2015 , 60 (10). С. 1097-1103.
Сергеев В.А., Ходаков А.М. Теплоэлектрические модели мощных биполярных полупроводниковых приборов. Часть II. Нелинейная теплоэлектрическая модель мощных светоизлучающих диодов. Радиотехника и электроника.- 2015.- Т. 60, №12.- с. 1254 – 1258. , 2015 , 60 (12). С. 1254-1258.
Сергеев В.А., Смирнов В.И., Фролов И.В., Ходаков А.М. Закономерности и особенности токовых зависимостей теплового сопротивления переход-корпус мощных InGaN/GaN светодиодов. Ученые записки физического факультета МГУ , 2014 (2). р. 142303.
Сергеев В.А., Ходаков А.М. Исследование и оценка адекватности нелинейных тепловых моделей мощных биполярных полупроводниковых приборов. Известия Самарского научного центра РАН , 2013 , 15 (6). С. 69-76.
Сергеев В.А., Ходаков А.М. Расчет и анализ распределения тока и температуры в структуре мощного ВЧ биполярного транзистора с учетом механизмов тепловой обратной связи. Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы , 2012 (2). С. 48-53.
