 | На уровень вверх |
Бутылкин В.С, Крафтмахер Г.А., Фишер П.С. ФОТОИНДУЦИРОВАННАЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ: ЭКСИТОНЫ ИЛИ СВОБОДНЫЕ НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА? Поверхность, Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования» , 2026 (1). С. 26-31.
Бутылкин В.С., Крафтмахер Г.А., Фишер П.С. Не-друдеподобное поведение фотоиндуцированной диэлектрической проницаемости GaAs и Si в гигагерцовом диапазоне частот. ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ , 2024 (1). С. 41-47. ISSN 1028-0960
Бутылкин В.С., Фишер П.С., Крафтмахер Г.А., Казанцев Ю.Н., Калёнов Д.С., Мальцев В.П., Пархоменко М.П. ФОТОИНДУЦИРОВАННАЯ МИКРОВОЛНОВАЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ: ЭКСИТОННЫЙ МЕХАНИЗМ. Радиотехника и электроника , 2023 , 68 (2,). С. 152-156.
Бутылкин, В. С., Фишер П.С., Крафтмахер Г.А., Казанцев Ю.Н., Каленов Д.С., Мальцев В.П., Пархоменко М.П. ЭКСИТОННЫЙ ВКЛАД В ФОТОИНДУЦИРОВАННУЮ ГИГА- И ТЕРАГЕРЦОВУЮ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ПРОНИЦАЕМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Радиотехника и электроника , 2022 , 67 (12). С. 1185-1191.
Крафтмахер Г.А., Бутылкин В.С., Казанцев Ю.Н., Мальцев В.П., Фишер П.С. Трансформация микроволновых резонансных свойств метаструктур с CdS и CdSe при одно- и двухфотонном возбуждении. Письма в ЖЭТФ , 2021 , 114 (9). . 586-595.
Крафтмахер Г.А, Бутылкин В.С, Фишер П.С. Оптически- и магнитоуправляемые мета-диполи на СВЧ. In: XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП) - СПб, 7-11 октября 2024г., XVI РКФП) - СПб. , Тезисы докладов XVI Российской конференции по физике полупроводников (XVI РКФП) - СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе. - 2024. - С. 316. ISBN 978-5-93634-074-1. , р. 316.
Бутылкин В.С., Крафтмахер Г.А., Фишер П.С. НЕ-ДРУДЕПОДОБНОЕ ПОВЕДЕНИЕ ФОТОИНДУЦИРОВАННОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ GAAS И SI В ГИГАГЕРЦОВОМ ДИАПАЗОНЕ ЧАСТОТ. Институт физики твердого тела РАН, ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННЫХ СОСТОЯНИЙ Сборник тезисов III Международной конференции, посвященной 60-летию ИФТТ РАН. Под редакцией Б.Б. Страумала . Черноголовка, 2023 Издательство: Институт физики твердого тела РАН, 2023.
