 | На уровень вверх |
Айтхожин С.А., Артёмов А.С., Белоусов П.С., Бобылев М.А., Каевицер Е.В., Любченко В.Е., Петров К.П., Темиров Ю.Ш., Фарафонов С.Б. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия на подложках из антимонида никеля. Неорганические материалы, 2015, т.51, №2, с. 121-125. Неорганические материалы , 2015 , 51 (2). С. 121-125.
Айтхожин С.А., Артёмов А.С., Белоусов П.С., Бобылёв М.А., Каевицер Е.В., Любченко В.Е.,, Петров К.П., Темиров Ю.Ш., Фарафонов С.Б. Эпитаксиальный рост арсенида галлия на подложках из NiSb . Ж. Нелинейный мир 2015, т. 13, №2, с.14-15. Нелинейный мир , 2015 , 13 (2). С. 14-15.
Айтхожин С.А., Артёмов А.С., Белоусов П.С., Бобылёв М.А., Каевицер Е.В., Люченко В.Е., Петров К.П., Темиров Ю.Ш., Фарафонов С.Б. Выращивание эпитаксиальных пленок арсенида галлия на подложках из антимонида никеля. XIII Начно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». Дубна, 8-10 октября 2014г., Труды конференции, с.318- 322 . In: XIII Научно - техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА»., 08-10 октября 2014 г., г. Дубна , С. 318-322.
