 | На уровень вверх |
Алтухов И.В., Дижур С.Е., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Буравлев А.Д., Васильев А.П., Задиранов Ю.М., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Устинов В.М. Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs. Письма в ЖЭТФ , 2016 , 103 (2). С. 128-131.
Папроцкий С.К., Алтухов И.В., Каган М.С., Дижур С.Е., Хвальковский Н.А., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Задиранов Ю.М., Буравлёв А.Д., Васильев А.П., Устинов В.М., Баранов А.Н., Тесье Р. Туннельная проводимость короткопериодных сверхрешеток с ТГц резонатором. ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (электронный журнал) , 2016 (12). ISSN 1684-1719
Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Задиранов Ю.М., Буравлев А.Д., Васильев А.П., Устинов В.М. Короткопериодные сверхрешетки GaAs/AlAs в ТГц оптическом резонаторе. Сб. «Наноструктуры: физика и технология», СПб научный форум «Наука и общество» , 2015 , 2 (2). С. 196-201.
Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Баранов А.Н., Тесье Р., Буравлев А.Д., Васильев А.П., Задиранов Ю.М., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Устинов В.М. Электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках с распределенным ТГц резонатором. In: XXI Межд. симп. Нанофизика и Наноэлектроника, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород , Труды XXI Межд. симп. Нанофизика и Наноэлектроника , р. 499.
Папроцкий С.К., Алтухов И.В., Каган М.С., Дижур С.Е., Хвальковский Н.А., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Задиранов Ю.М., Буравлев А.Д., Васильев А.П., Устинов В.М., Баранов А.Н., Тесье Р. Туннельная проводимость короткопериодных сверхрешёток с ТГц резонатором. In: IV Всероссийская Микроволновая конференция, 23-25 ноября 2016 г., Москва, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН , Cборник трудов IV Всероссийской микроволновой конференции , С. 363-367.
Ермолаев Д. М., Попов В. В., Маремьянин К. В., Гавриленко В.И., Земляков В.Е., Беспалов В.А., Егоркин В.И., Малеев Н.А., Устинов В.М., Шаповал С.Ю. Детектирование терагерцового излучения цепочкой полевых транзисторов, интегрированных на основе гетероструктуры AlGaAs/InGaAs. In: «Нанофизика и наноэлектроника»: Труды XVIII Международного симпозиума, 10-14 марта 2014, Нижний Новгород , С. 469-470.
