 | На уровень вверх |
Гуляев Ю.В., Митягин А.Ю., Чучева Г.В., Афанасьев М.С., Зяблюк К.Н., Талипов Н.Х., Недосекин П.Г., Набиев А.Э. Полевой транзистор на гидрированной поверхности алмаза. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2014 , 59 (3). С. 304-310. ISSN 0033-8494
Гарбер Г.З., Дорофеев А.А., Зубков А.М., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А., Зяблюк К.Н., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В. О проблеме создания сверхвысокочастотных мощных полевых транзисторов на основе алмаза. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2014 , 59 (4). С. 411-416. ISSN 0033-8494
Зяблюк К.Н., Концевой Ю.А., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В. Параметры алмазных полевых транзисторов, необходимые для работы в усилителях ГГц диапазона. ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. СЕРИЯ 2: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ , 2013 , 1 (230). С. 3-8. ISSN 2073-8250
Афанасьев М.С., Бугаев А.С., Захарченко К.В., Зяблюк К.Н., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В., Набиев А.Х. Пассивные элементы сверхвысокочастотных интегральных схем (СВЧ ИС) на алмазе (часть 1). Микрополосковые линии передачи на алмазе. УСПЕХИ СОВРЕМЕННОЙ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ , 2013 (6). С. 53-60. ISSN 2070-0784
Талипов Н.Х. О возможности формирования дельта-легированных бором наноструктур на основе СVD алмаза низкоэнергетической ионной имплантацией бора. In: XXI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта 2017 г., г. Нижний Новгород, Россия , Нижегородский университет , С. 732-733.
Алтухов А.А., Талипов Н.Х., Чучева Г.В. Полевой СВЧ-транзистор на основе алмаза с δ-легированным бором каналом. In: 26-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2016), 4-10 сентября 2016г., г. Севастополь, Россия , С. 1385-1389.
Алтухов А.А., Гуляев Ю.В., Талипов Н.Х., Хмельницкий Р.А., Чучева Г.В. Особенности активации бора имплантированного при больших дозах в природные кристаллы алмаза. In: ХΙΙ Российская конференция по физике полупроводников, 21-25 сентября 2015г., г. Звенигород, Россия , Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, г.Москва , р. 342.
Алтухов А.А., Гуляев Ю.В., Талипов Н.Х., Чучева Г.В. Высокочувствительный планарный матричный фотоприемник на основе алмаза для УФ-канала комплексированной инфракрасной оптико-электронной системы. In: Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника-2015», 12-16 октября 2015г., г. Новосибирск, Россия , ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ им. А.В. Ржанова СО РАН г. Новосибирск , р. 114.
Алтухов А.А., Гуляев Ю.В., Зяблюк К.Н., Талипов Н.Х., Чучева Г.В. Формирование дельта легированного р-слоя в природных и CVD кристаллах алмаза при термообработках в водороде. In: ХΙΙ Российская конференция по физике полупроводников, 21-25 сентября 2015г., г. Звенигород, Россия , Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, г.Москва , р. 379.
Алтухов А.А., Гуляев Ю.В., Талипов Н.Х., Фещенко В.С., Шепелев В.А., Чучева Г.В. Комплексированный ИК+УФ интегральный матричный фотоприёмник на основе микроболометров и SiC. In: Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника-2015», 12-16 октября 2015г., г. Новосибирск, Россия , ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ им. А.В. Ржанова СО РАН г. Новосибирск , р. 113.
Зяблюк К.Н., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В., Набиев А.Э. Предельные параметры транзистора на основе гидрированного алмаза. In: 14 Международная научно-практическая конференция «Современные информационные и электронные технологии»., 27-31 мая 2013 г., г. Одесса, Украина , Политехпериодика (Одесса) , С. 233-235.
Зяблюк К.Н., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В., Набиев А.Э. Моделирование работы транзистора на основе алмаза с проводящим d-легированным слоем. In: 14 Международная научно-практическая конференция «Современные информационные и электронные технологии», 27-31 мая 2013 г., г.Одесса, Украина , Политехпериодика (Одесса) , С. 230-232.
Хмельницкий Р.А., Талипов Н.Х., Чучева Г.В. Синтетический алмаз для электроники и оптики. ЗАО «Издательство ИКАР», Москва , 2017 . ISBN 978-5-7974-0558-0
