 | На уровень вверх |
Яременко Н.Г., Страхов В.А., Карачевцева М.В. Осцилляции скорости захвата неравновесных носителей в квантовые ямы гетероструктур AlGaAs/GaAs. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2018 , 63 (10). С. 1124-1129.
Яременко Н.Г., Страхов В.А., Карачевцева М.В. Влияние эффективности захвата дырок на температурную зависимость фотолюминесценции структур n-AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами. Известия высших учебных заведений. Электроника , 2018 , 23 (4). С. 327-334. ISSN 1561-5405 (print) 2587-9960 (online)
Яременко Н.Г., Страхов В.А., Карачевцева М.В., Федоров Ю.В. Динамика накопления неравновесных дырок в квантовых ямах гетероструктур n-AlGaAs/GaAs. Изв. вузов. Электроника , 2016 , 21 (4). С. 1-8. ISSN 1561-5405
Яременко Н.Г., Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Карачевцева М.В., Страхов В.А. Определение концентрации двумерных электронов в δ легированных псевдоморфных транзисторных структурах InGaAs/GaAs методом фотолюминесцентной спектроскопии. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2013 , 58 (3). С. 1-8. ISSN 0033-8494
Яременко Н.Г., Страхов В.А., Карачевцева М.В. Осцилляции времени захвата дырок в квантовые ямы гетероструктур n-AlGaAs/GaAs. In: V Международная конференция по фотонике и информационной оптике, 3-5 февраля 2016, Москва, НИЯУ МИФИ , Национальный исследовательский ядерный университет"МИФИ" , С. 263-264.
Яременко Н.Г., Карачевцева М.В., Страхов В.А., Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А. Фотолюминесцентный метод определения слоевой концентрации электронов в транзисторных наногетероструктурах. In: IX научно-практическая конференция "Нанотехнологии - производству", 10-12 апреля 2013 г., г. Фрязино, Московская область , ООО Издательство "Янус-К", 127411 Москва , С. 84-85.
Яременко Н.Г., Страхов В.А., Карачевцева М.В., Сизова Т.Н. Фотолюминесцентная спектроскопия модулированно-легированных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs HEMT с повышенным содержанием мольной доли индия (Заключительный отчет о НИР № 0030-2014-0016, шифр «Олива»). Другой. НЕ ОПРЕДЕЛЕНО, Фрязино, 2016. (Не опубликован)
