 | На уровень вверх |
Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Родионов Н.Б, Большаков А.П., Ральченко В.Г., Хмельницкий Р.А. Транспорт дырок в монокристаллическом алмазе, легированном бором, в сильных электрических полях. статья в сборнике трудов конференции Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение , 2018 .
Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Родионов Н.Б, Большаков А.П., Ральченко В.Г., Хмельницкий Р.А. Проводимость монокристаллического алмаза, легированного бором, в сильных электрических полях. In: 9-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», 23 мая 2018 г., Национальный Исследовательский Ядерный Университет "МИФИ" , Сборник трудов , С. 28-29.
Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Родионов Н.Б, Большаков А.П., Ральченко В.Г., Хмельницкий Р.А. Транспорт в алмазных вертикальных диодах. In: XXII Международный симпозиум Нанофизика и Наноэлектроника, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород , Труды XXII Межд. симп. Нанофизика и Наноэлектроника , р. 536.
