Объекты, где автором является "Нарышкина В.Г."

На уровень вверх
Экспорт в [feed] Atom [feed] RSS 1.0 [feed] RSS 2.0
Группировка по: Тип объекта | Нет группировки
Количество объектов: 13.

Статья

Киселев Д.А., Старухина С.С., Ильина Т.С., Кухарская Н.Ф., Нарышкина В.Г., Сивов А.А., Чучева Г.В. Влияние легирующей примеси на пьезоэлектрические и диэлектрические свойства тонких пленок Bi3.25La0.75Ti3-хАхO12 (А – Мn, Zr, Nb). Физика твёрдого тела , 2022 , 64 (10). С. 1483-1488. ISSN 0367-3294

Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. Устойчивые к полевым повреждениям структуры кремний-сверхтонкий окисел (42 нм)−поликремний. Физика и техника полупроводников , 2021 , 55 (1). С. 24-27. ISSN 0015-3222

Гольдман Е.И., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. Исследования электрофизических свойств сегнетоэлектрических пленок Ba0.8Sr0.2TiO3 в параэлектрическом состоянии. Физика твёрдого тела , 2020 . ISSN 0367-3294

Гольдман Е.И., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. О ВЛИЯНИИ ИОННОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ ТРАНЗИСТОРНЫХ Si-СТРУКТУР НА ПРОВОДИМОСТЬ КАНАЛОВ ИНВЕРСИИ p-ТИПА. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2019 . ISSN 0033-8494

Гольдман Е.И., Набиев А.Э., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия. Физика и техника полупроводников , 2019 , 53 (1). С. 89-92. ISSN 0015-3222

Афанасьев М.С., Егоров В.К., Егоров Е.В., Кухарская Н.Ф., Набиев А.Э., Нарышкина В.Г. Выход рентгенофлуоресценции при полном внешнем отражении, формируемого волноводом-резонатором в условиях ионно-пучкового возбуждения. Физика твёрдого тела , 2019 . ISSN 0367-3294

Афанасьев М.С., Киселев Д.А., Левашов С.А., Лузанов В.А., Набиев А.Э., Нарышкина В.Г., Сивов А.А., Чучева Г.В. Влияние материала подложки на структуру и электрофизические свойства тонких пленок BaxSr1-xTiO3. Физика твёрдого тела , 2018 , 60 (5). С. 951-954. ISSN 0367-3294

Гольдман Е.И., Левашов С.А., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела кремний-сверхтонкий окисел в процессе полевого повреждения структур металл-окисел-полупроводник. Физика и техника полупроводников , 2017 , 51 (9). С. 1185-1188. ISSN 0015-3222

Хлопов Б.В., Чучева Г.В., Нарышкина В.Г., Кухарская Н.Ф., Митягина А.Б. Мультиферроидные материалы электролизного и химического осаждения. T-COMM: телекоммуникации и транспорт. , 2017 (7). С. 9-12. ISSN 2072-8743

Афанасьев М.С., Левашов С.А., Левашова А.И., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В., Набиев А.Э. Выбор оптимального технологического режима формирования сегнетоэлектрических пленок на кремниевых подложках. СОВРЕМЕННЫЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ , 2014 , 2 (15). С. 128-129. ISSN 2308-8060

Гольдман Е.И., Левашова А.И., Левашов С.А., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. Измерения высокочастотного импеданса структур «металл – диэлектрик – полупроводник» со сверхтонким оксидом. СОВРЕМЕННЫЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ , 2014 , 2 (15). С. 130-131. ISSN 2308-8060

Доклад на конференции или семинаре

Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Набиев А.Э., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. О физической природе повышения проводимости канала инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого стресса. In: XIII Всероссийская научная конференция молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика», 4-6 сентября 2018г., г. Саратов, Россия , "Техно-Декор" , С. 28-29.

Гольдман Е.И., Левашов С.А., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. Исследования методом высокочастотных вольтфарадных характеристик структур металл-сверхтонкий окисел-полупроводник, подвергнутых повреждению при полевом стрессе. In: XIV Международная конференция «ФИЗИКА ДИЭЛЕКТРИКОВ» (ДИЭЛЕКТРИКИ - 2017), 29 мая - 2 июня 2017 год, г. Санкт-Петербург, Россия , Издательство РГПУ им.А.И.Герцена , С. 181-183.

Этот список был создан Fri May 3 10:22:34 2024 GMT-3.