 | На уровень вверх |
Афанасьев М.С., Гольдман Е.И., Чучева Г.В., Набиев А.Э., Гусейнов Дж.И., Алиев Н.Ш. Электропроводность структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок. Физика твёрдого тела , 2019 . ISSN 0367-3294
Гольдман Е.И., Набиев А.Э., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия. Физика и техника полупроводников , 2019 , 53 (1). С. 89-92. ISSN 0015-3222
Афанасьев М.С., Егоров В.К., Егоров Е.В., Кухарская Н.Ф., Набиев А.Э., Нарышкина В.Г. Выход рентгенофлуоресценции при полном внешнем отражении, формируемого волноводом-резонатором в условиях ионно-пучкового возбуждения. Физика твёрдого тела , 2019 . ISSN 0367-3294
Афанасьев М.С., Киселев Д.А., Левашов С.А., Лузанов В.А., Набиев А.Э., Нарышкина В.Г., Сивов А.А., Чучева Г.В. Влияние материала подложки на структуру и электрофизические свойства тонких пленок BaxSr1-xTiO3. Физика твёрдого тела , 2018 , 60 (5). С. 951-954. ISSN 0367-3294
Гуляев Ю.В., Чучева Г.В., Набиев А.Э., Алтухов А.А., Попов А.В., Фещенко В.С., Шепелев В.А. Одноэлементный алмазный фотодетектор для ультрафиолетовой спектрофотометрии. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2016 , 61 (4). С. 395-398. ISSN 0033-8494
Афанасьев М.С., Набиев А.Э., Чучева Г.В. Оптический мониторинг процесса осаждения сегнетоэлектрических пленок. Физика твёрдого тела , 2015 , 57 (7). С. 1354-1357. ISSN 0367-3294
Афанасьев М.С., Левашов С.А., Левашова А.И., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В., Набиев А.Э. Выбор оптимального технологического режима формирования сегнетоэлектрических пленок на кремниевых подложках. СОВРЕМЕННЫЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ , 2014 , 2 (15). С. 128-129. ISSN 2308-8060
Гуляев Ю.В., Митягин А.Ю., Чучева Г.В., Афанасьев М.С., Зяблюк К.Н., Талипов Н.Х., Недосекин П.Г., Набиев А.Э. Полевой транзистор на гидрированной поверхности алмаза. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2014 , 59 (3). С. 304-310. ISSN 0033-8494
Афанасьев М.С., Левашов С.А., Митягин А.Ю., Чучева Г.В., Набиев А.Э. Расчет теплофизических параметров и технология формирования МПЛ СВЧ диапазона. Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика. , 2013 , 13 (1). С. 9-12. ISSN 1817-3020
Афанасьев М.С., Митягин А.Ю., Митягина А.Б., Набиев А.Э., Чучева Г.В. Оценка показателей эффективности фотоприемного устройства УФ- и ИК- диапазона на основе тонкопленочных сегнетоэлектрических и алмазных материалов. ИЗВЕСТИЯ АКАДЕМИИ ИНЖЕНЕРНЫХ НАУК ИМ. А.М. ПРОХОРОВА , 2013 (3). С. 74-81. ISSN 2307-163X
Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Набиев А.Э., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. О физической природе повышения проводимости канала инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого стресса. In: XIII Всероссийская научная конференция молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика», 4-6 сентября 2018г., г. Саратов, Россия , "Техно-Декор" , С. 28-29.
Зяблюк К.Н., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В., Набиев А.Э. Предельные параметры транзистора на основе гидрированного алмаза. In: 14 Международная научно-практическая конференция «Современные информационные и электронные технологии»., 27-31 мая 2013 г., г. Одесса, Украина , Политехпериодика (Одесса) , С. 233-235.
Зяблюк К.Н., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В., Набиев А.Э. Моделирование работы транзистора на основе алмаза с проводящим d-легированным слоем. In: 14 Международная научно-практическая конференция «Современные информационные и электронные технологии», 27-31 мая 2013 г., г.Одесса, Украина , Политехпериодика (Одесса) , С. 230-232.
