 | На уровень вверх |
Ермолаев Д.М., Маремьянин К.В., Фатеев Д.В., Попов В.В., Малеев Н.А., Земляков В.Е., Гавриленко В.И., Шаповал С.Ю., Сизов Ф.Ф. Высокоэффективный плазмонный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs с решеточным затвором. In: Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII Международного симпозиума, 11-15 марта 2013, г. Нижний Новгород. Институт физики микроструктур , SPIE , С. 449-450.
