Объекты, где автором является "Каевицер Е.В."

Статья

Белоусов П.С., Бобылёв М.А., Ковалев В.И., Каевицер Е.В., Любченко В.Е. Гетеропереход GaAs-SnAs-Sn. НАНОИНДУСТРИЯ , 2021 , 14 (S7). С. 343-365. ISSN 1993-8578

Белоусов П.С., Бобылев М.А., Ковалев В.И., Каевицер Е.В., Любченко В.Е., Руковишников А.И., Петров К.П., Пелипец О.В., Рогачев И.А. ВАКУУМНО-ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР GAAS-SNAS. НАНОИНДУСТРИЯ , 2020 , 13 (S4(99)). С. 251-253. ISSN 1993-8578

Белоусов П.С., Бобылев М.А., Ковалев В.И., Каевицер Е.В., Любченко В.Е., Рукавишников А.И., Петров К.П., Пелипец О.В., Рогачев И.А. ВАКУУМНО-ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР GAAS-SNAS. НАНОИНДУСТРИЯ , 2020 , 24 (S5-1). С. 272-276. ISSN 1993-8578

Айтхожин С.А., Артёмов А.С., Белоусов П.С., Бобылев М.А., Каевицер Е.В., Любченко В.Е., Петров К.П., Темиров Ю.Ш., Фарафонов С.Б. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия на подложках из антимонида никеля. Неорганические материалы, 2015, т.51, №2, с. 121-125. Неорганические материалы , 2015 , 51 (2). С. 121-125.

Айтхожин С.А., Артёмов А.С., Белоусов П.С., Бобылёв М.А., Каевицер Е.В., Любченко В.Е.,, Петров К.П., Темиров Ю.Ш., Фарафонов С.Б. Эпитаксиальный рост арсенида галлия на подложках из NiSb . Ж. Нелинейный мир 2015, т. 13, №2, с.14-15. Нелинейный мир , 2015 , 13 (2). С. 14-15.

Каевицер Е.В., Брянцева Т.А., Любченко В.Е. Формирование контактов при росте Al пленок методом CBE на поверхности арсенида галлия. Нелинейный Мир , 2013 (2). С. 114-115. ISSN 2070-0970

Доклад на конференции или семинаре

Айтхожин С.А., Артёмов А.С., Белоусов П.С., Бобылёв М.А., Каевицер Е.В., Люченко В.Е., Петров К.П., Темиров Ю.Ш., Фарафонов С.Б. Выращивание эпитаксиальных пленок арсенида галлия на подложках из антимонида никеля. XIII Начно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». Дубна, 8-10 октября 2014г., Труды конференции, с.318- 322 . In: XIII Научно - техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА»., 08-10 октября 2014 г., г. Дубна , С. 318-322.

Патент

ФИРЭ им. В.А.Котельникова РАН Эпитаксиальная гетероструктура на арсениде галлия с контактами металл-полупроводник. Заявка № 2021108864, 2021.