 | На уровень вверх |
Дикаев Ю.М., Кудряшов А.А. Рентгеновские детекторы на основе эпитаксиальных структур GaAs в режиме мягкого и жесткого облучения. Биомедицинская Радиоэлектроника , 2024 (1). ISSN 1560-4136
Дикаев Ю.М., Кудряшов А.А. Многомодульный полупроводниковый детектор для получения цифровых рентгеновских изображений объекта. RU 216174U1, 2023.
Дикаев Ю.М., Кудряшов А.А. Рентгеновский детектор на основе CdZnTe в режиме поперечной и продольной фотопроводимости. ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ , 2022 , 92 (вып.1). С. 152-154. ISSN 0044-4642
Дикаев Ю.М., Кудряшов А.А. Рентгеновские детекторы на основе эпитаксиальных структур GaAs и монокристаллов CdZnTe. Биомедицинская радиотехника , 2019 , 22 (7). С. 75-81.
Дикаев Ю.М., Кудряшов А.А., Петров А.Г., Темиров Ю.Ш. Разработка новых неорганических материалов для твердотельных лазеров и приемников излучения. Раздел 5. Технический отчет. ФИРЭ, ФИРЭ, 2017.
Дикаев Ю.М., Кудряшов А.А., Петров А.Г., Телегин А.А. Разработка новых неорганических материалов для твердотельных лазеров и приемников излучения.Раздел 5. Другой. ФИРЭ им. В.А.Котельникова РАН, ФИРЭ им. В.А.Котельникова РАН, 2016.
Дворянкин В.Ф., Дикаев Ю.М., Кудряшов А.А., Петров А.Г., Телегин А.А. Многоэлементный панорамный рентгеновский детектор на базе арсенида галлия. Контроль. Диагностика , 2016 (7). С. 53-56.
Дикаев Ю.М., Кудряшов А.А., Петров А.Г. Разработка, создание и исследование детекторов рентгеновского излучения на основе полупроводниковых материалов. Технический отчет. ФИРЭ, ФИРЭ, 2015.
Дворянкин В.Ф., Дворянкина Г.Г., Дикаев Ю.М., Кудряшов А.А., Петров А.Г., Телегин А.А. Многопиксельный линейный детектор рентгеновского излучения на основе монокристаллов CdZnTe. Микроэлектроника, 2015, том 44, № 4, с. 275-277. Микроэлектроника , 2015 , 44 (4). С. 275-277.
Дворянкин В.Ф., Дворянкина Г.Г., Дикаев Ю.М., Ермаков М.Г., Кудряшов А.А., Петоов А.Г., Телегин А.А. Фотовольтаические рентгеновские детекторы на основе эпитаксиальных структур GaAs. ПТЭ, 2013,№1, стр. 97-102. Приборы и техника эксперимента , 2013 (1). С. 97-102.
