 | На уровень вверх |
Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Чучева Г.В. ЭФФЕКТ ФРАНЦА–КЕЛДЫША В СТРУКТУРАХ КРЕМНИЙ–СВЕРХТОНКИЙ (3.7 нм) ОКИСЕЛ–ПОЛИКРЕМНИЙ. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2023 . ISSN 0033-8494
Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Чучева Г.В. Влияние сильного статического электрического поля и нагрева на характеристики высокочастотного импеданса структур металл-сегнетоэлектрик–полупроводник. Физика твёрдого тела , 2022 , 65 (5). С. 556-559. ISSN 0367-3294
Гольдман Е.И., Чучева Г.В., Шушарин И.А. Форма изолирующего потенциала, создаваемого сверхтонкими слоями окисла кремния. Физика и техника полупроводников , 2021 , 56 (3). С. 328-334. ISSN 0015-3222
Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Чучева Г.В. Слабое проявление эффекта поля в структурах металл-диэлектрик-полупроводник с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем BaxSr1-хTiO3. Физика твёрдого тела , 2021 , 63 (11). С. 1887-1889. ISSN 0367-3294
Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. Устойчивые к полевым повреждениям структуры кремний-сверхтонкий окисел (42 нм)−поликремний. Физика и техника полупроводников , 2021 , 55 (1). С. 24-27. ISSN 0015-3222
Гольдман Е.И., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. Исследования электрофизических свойств сегнетоэлектрических пленок Ba0.8Sr0.2TiO3 в параэлектрическом состоянии. Физика твёрдого тела , 2020 . ISSN 0367-3294
Афанасьев М.С., Гольдман Е.И., Чучева Г.В., Набиев А.Э., Гусейнов Дж.И., Алиев Н.Ш. Электропроводность структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок. Физика твёрдого тела , 2019 . ISSN 0367-3294
Гольдман Е.И., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. О ВЛИЯНИИ ИОННОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ ТРАНЗИСТОРНЫХ Si-СТРУКТУР НА ПРОВОДИМОСТЬ КАНАЛОВ ИНВЕРСИИ p-ТИПА. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2019 . ISSN 0033-8494
Гольдман Е.И., Кухарская Н.Ф., Левашов С.А., Чучева Г.В. Определение параметров структур металл−диэлектрик−полупроводник со сверхтонким изолирующим слоем из высокочастотных вольт-фарадных характеристик. Физика и техника полупроводников , 2019 , 53 (1). С. 46-49. ISSN 0015-3222
Гольдман Е.И., Набиев А.Э., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия. Физика и техника полупроводников , 2019 , 53 (1). С. 89-92. ISSN 0015-3222
Гольдман Е.И., Левашов С.А., Чучева Г.В. Особенности характеристик устойчивых к полевым повреждениям структур кремний-сверхтонкий окисел-поликремний. Физика и техника полупроводников , 2019 . ISSN 0015-3222
Гуляев Ю.В., Гольдман Е.И., Чучева Г.В. Об устойчивости сверхтонких изолирующих слоёв окисла кремния к полевому повреждению. ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. СЕРИЯ 2: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ , 2018 (3(250)). С. 6-12. ISSN 2073-8250
Гольдман Е.И., Левашов С.А., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела кремний-сверхтонкий окисел в процессе полевого повреждения структур металл-окисел-полупроводник. Физика и техника полупроводников , 2017 , 51 (9). С. 1185-1188. ISSN 0015-3222
Гольдман Е.И., Левашова А.И., Левашов С.А., Чучева Г.В. Особенности высокочастотных измерений импеданса структур металл-диэлектрик-полупроводник со сверхтонким окислом. Физика и техника полупроводников , 2015 , 49 (4). С. 483-488. ISSN 0015-3222
Гольдман Е.И., Гуляев Ю.В., Чучева Г.В. «Реальные» изолирующие свойства сверхтонких окислов кремния. РАДИОТЕХНИКА , 2015 (8). С. 58-65. ISSN 0033-8486
Гольдман Е.И., Левашова А.И., Левашов С.А., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. Измерения высокочастотного импеданса структур «металл – диэлектрик – полупроводник» со сверхтонким оксидом. СОВРЕМЕННЫЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ , 2014 , 2 (15). С. 130-131. ISSN 2308-8060
Гольдман Е.И., Чучева Г.В., Шушарин И.А. Форма изолирующего потенциала, создаваемого сверхтонкими слоями окисла кремния. In: 32-я Международная конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 11-17 сентября 2022год, Крым, г. Севастополь (В прессе)
Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Чучева Г.В. Сверхтонкие (3.7 нм) слои окисла кремния с низкой концентрацией оборванных связей на контакте с полупроводником. In: II международная научно-техническая конференция «ОПТО-, МИКРО- И СВЧ- ЭЛЕКТРОНИКА–2022», 21–23 сентября 2022 года, Беларусь, г. Минск , р. 11.
Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Чучева Г.В. Слабое проявление эффекта поля в структурах металл-диэлектрик-полупроводник с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем BaxSr1-xTiO3. In: 32-я Международная конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 11-17 сентября 2022год, Крым, г. Севастополь (В прессе)
Афанасьев М.С., Гольдман Е.И., Киселев Д.А., Левашов С.А., Сивов А.А., Чучева Г.В. Влияние температуры синтеза пленок BST 80/20 на их микроструктуру и электрофизические свойства. In: НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОФОТОНИКА И НЕЛИНЕЙНАЯ ФИЗИКА, 17-19 сентября 2019, Саратов , Техно-Декор , С. 144-145.
Афанасьев М.С., Гольдман Е.И., Киселев Д.А., Левашов С.А., Сивов А.А., Чучева Г.В., Bdikin I.K., Gautam P., Singh B. Макро- и микроскопические электрофизические свойства тонких пленок на основе lead-free материалов. In: .«Мультиферроики: получение, свойства, применение».Международная научно-практическая конференция научно-практической конференции, Витебск, Беларусь,, 24-27 сентября 2019 года, Витебск, Беларусь , Колорград , С. 62-64.
Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Набиев А.Э., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. О физической природе повышения проводимости канала инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого стресса. In: XIII Всероссийская научная конференция молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика», 4-6 сентября 2018г., г. Саратов, Россия , "Техно-Декор" , С. 28-29.
Гольдман Е.И., Киселев Д.А., Чучева Г.В. Исследования локальных электрических предпробойных воздействий на тонкие слои окисла кремния. In: XIV Международная конференция «ФИЗИКА ДИЭЛЕКТРИКОВ» (ДИЭЛЕКТРИКИ - 2017), 29 мая - 2 июня 2017 года, г. Санкт-Петербург, Россия , Издательство РГПУ им.А.И.Герцена , С. 179-180.
Гольдман Е.И., Левашов С.А., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. Исследования методом высокочастотных вольтфарадных характеристик структур металл-сверхтонкий окисел-полупроводник, подвергнутых повреждению при полевом стрессе. In: XIV Международная конференция «ФИЗИКА ДИЭЛЕКТРИКОВ» (ДИЭЛЕКТРИКИ - 2017), 29 мая - 2 июня 2017 год, г. Санкт-Петербург, Россия , Издательство РГПУ им.А.И.Герцена , С. 181-183.
