На уровень вверх |
Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Васильевский И.С., Виниченко А.Н. Туннельный транспорт в сверхрешётках GaAs/AlAs с электрическими доменами. статья в сборнике трудов конференции Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение , 2018 .
Алтухов И.В., Дижур С.Е., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Васильевский И.С., Виниченко А.Н. Проводимость сверхрешёток GaAs/AlAs с электрическими доменами. статья в сборнике трудов конференции 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники , 2017 .
Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Васильевский И.С., Виниченко А.Н. Электрические домены в сверхрешетках GaAs/AlAs с распределенным ТГц резонатором. In: XXII Межд. симп. Нанофизика и Наноэлектроника, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород , Труды XXII Межд. симп. Нанофизика и Наноэлектроника , р. 538.
Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Васильевский И.С., Виниченко А.Н. Туннельная проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs с электрическими доменами при комнатной температуре. In: 9-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», 23 мая 2018 г., Национальный Исследовательский Ядерный Университет "МИФИ" , Сборник трудов. , С. 68-69.