Объекты, где автором является "Борисов В.И."

На уровень вверх
Экспорт в [feed] Atom [feed] RSS 1.0 [feed] RSS 2.0
Группировка по: Тип объекта | Нет группировки
Количество объектов: 6.

Статья

Сизов В.Е., Борисов В.И., Кузнецов П.И., Ткач Ю.Я. Выявление поверхностных состояний в топологических изоляторах Bi2-xSbxTe3-ySey по магнитотранспортным измерениям. Физика твёрдого тела , 2019 , 61 (2). С. 239-242. ISSN 0367-3294

Ткач Ю.Я., Кузнецов П.И., Борисов В.И., Сизов В.Е. Выявление поверхностных состояний в топологических изоляторах Bi-=SUB=-2-x-=/SUB=-Sb-=SUB=-x-=/SUB=-Te-=SUB=-3-y-=/SUB=-Se-=SUB=-y-=/SUB=- по магнитотранспортным измерениям. Физика твердого тела , 2019 , 61 (2). р. 239. ISSN 0367-3294

Борисов В.И., Кувшинова Н.А., Курочка С.П., Сизов В.Е., Степушкин М.В., Темирязев А.Г. Полупроводниковые структуры с одномерным квантовым каналом и планарными боковыми затворами, созданные методом импульсной силовой нанолитографии. Физика и техника полупроводников , 2017 , 51 (11). С. 1534-1537. ISSN 0015-3222

Темирязев А.Г., Борисов В.И., Саунин С.А. Атомно-силовая микроскопия на поверхностях с развитым профилем. ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ , 2014 (7). С. 93-97.

Доклад на конференции или семинаре

Борисов В.И., Кувшинова Н.А., Курочка С.П., Сизов В.Е., Степушкин М.В., Темирязев А.Г. Создание полупроводниковых многозатворных структур с квантовым каналом методом импульсной силовой СЗМ-нанолитографии. In: XXI международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 13 – 16 марта 2017 г., Нижний Новгород , С. 273-274.

Темирязев А.Г., Борисов В.И., Саунин С.А. Атомно-силовая микроскопия на поверхностях с развитым профилем. In: Труды XVII Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника., 11-15 марта 2013 г., Нижний Новгород , С. 245-246.

Этот список был создан Mon May 6 19:31:27 2024 GMT-3.