 | На уровень вверх |
Белоусов П.С., Бобылёв М.А., Ковалев В.И., Каевицер Е.В., Любченко В.Е. Гетеропереход GaAs-SnAs-Sn. НАНОИНДУСТРИЯ , 2021 , 14 (S7). С. 343-365. ISSN 1993-8578
Айтхожин С.А., Артёмов А.С., Белоусов П.С., Бобылёв М.А., Каевицер Е.В., Любченко В.Е.,, Петров К.П., Темиров Ю.Ш., Фарафонов С.Б. Эпитаксиальный рост арсенида галлия на подложках из NiSb . Ж. Нелинейный мир 2015, т. 13, №2, с.14-15. Нелинейный мир , 2015 , 13 (2). С. 14-15.
Айтхожин С.А., Артёмов А.С., Белоусов П.С., Бобылёв М.А., Каевицер Е.В., Люченко В.Е., Петров К.П., Темиров Ю.Ш., Фарафонов С.Б. Выращивание эпитаксиальных пленок арсенида галлия на подложках из антимонида никеля. XIII Начно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». Дубна, 8-10 октября 2014г., Труды конференции, с.318- 322 . In: XIII Научно - техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА»., 08-10 октября 2014 г., г. Дубна , С. 318-322.
