 | На уровень вверх |
Белоусов П.С., Бобылев М.А., Ковалев В.И., Каевицер Е.В., Любченко В.Е., Руковишников А.И., Петров К.П., Пелипец О.В., Рогачев И.А. ВАКУУМНО-ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР GAAS-SNAS. НАНОИНДУСТРИЯ , 2020 , 13 (S4(99)). С. 251-253. ISSN 1993-8578
Белоусов П.С., Бобылев М.А., Ковалев В.И., Каевицер Е.В., Любченко В.Е., Рукавишников А.И., Петров К.П., Пелипец О.В., Рогачев И.А. ВАКУУМНО-ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР GAAS-SNAS. НАНОИНДУСТРИЯ , 2020 , 24 (S5-1). С. 272-276. ISSN 1993-8578
Айтхожин С.А., Артёмов А.С., Белоусов П.С., Бобылев М.А., Каевицер Е.В., Любченко В.Е., Петров К.П., Темиров Ю.Ш., Фарафонов С.Б. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия на подложках из антимонида никеля. Неорганические материалы, 2015, т.51, №2, с. 121-125. Неорганические материалы , 2015 , 51 (2). С. 121-125.
ФИРЭ им. В.А.Котельникова РАН Эпитаксиальная гетероструктура на арсениде галлия с контактами металл-полупроводник. Заявка № 2021108864, 2021.
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН ( Патент на полезную модель №132253 от10.09.13 г. Электромагнитное устройство коммутации. RU 132253 U1, 2013.
