 | На уровень вверх |
Афанасьев М.С., Белорусов Д.А., Киселев Д.А., Лузанов В.А., Чучева Г.В. Влияние условий формирования пленок оксида гафния на структурные и электрофизические свойства гетероструктур. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2023 , 68 (10). ISSN 0033-8494
Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Чучева Г.В. ЭФФЕКТ ФРАНЦА–КЕЛДЫША В СТРУКТУРАХ КРЕМНИЙ–СВЕРХТОНКИЙ (3.7 нм) ОКИСЕЛ–ПОЛИКРЕМНИЙ. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2023 . ISSN 0033-8494
Чучева Г.В., Лузанов В.А., Киселев Д.А., Белорусов Д.А., Афанасьев М.С. Формирование и исследование структур металл--диэлектрик--полупроводник на основе пленок оксида гафния. Физика твердого тела , 2023 , 65 (4). р. 572. ISSN 0367-3294
Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Чучева Г.В. Влияние сильного статического электрического поля и нагрева на характеристики высокочастотного импеданса структур металл-сегнетоэлектрик–полупроводник. Физика твёрдого тела , 2022 , 65 (5). С. 556-559. ISSN 0367-3294
Афанасьев М.С., Белорусов Д.А., Киселев Д.А., Сивов А.А., Чучева Г.В. Влияние буферного слоя PZT на электрофизические свойства МДМ-структур с пленкой BST. Физика твёрдого тела , 2021 , 63 (11). С. 1895-1900. ISSN 0367-3294
Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Чучева Г.В. Слабое проявление эффекта поля в структурах металл-диэлектрик-полупроводник с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем BaxSr1-хTiO3. Физика твёрдого тела , 2021 , 63 (11). С. 1887-1889. ISSN 0367-3294
Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. Устойчивые к полевым повреждениям структуры кремний-сверхтонкий окисел (42 нм)−поликремний. Физика и техника полупроводников , 2021 , 55 (1). С. 24-27. ISSN 0015-3222
Афанасьев М.С., Белорусов Д.А., Киселев Д.А., Сивов А.А., Чучева Г.В. Зависимость электрофизических характеристик структур металл–сегнетоэлектрик–полупроводник от материала верхнего электрода. Физика и техника полупроводников , 2020 , 54 (11). С. 1219-1223. ISSN 0015-3222
Киселев Д.А., Афанасьев М.С., Белорусов Д.А., Лузанов В.А., Чучева Г.В. Исследования электрофизических характеристик структур металл-диэлектрикполупроводник на основе пленок оксида гафния. In: X Международная научная конференция «Actual Problems of Solid State Physics», 22-26 мая, Минск, Беларусь
Киселев Д.А., Афанасьев М.С., Белорусов Д.А., Чучева Г.В. Исследования морфологии и электрофизических характеристик МДП структур на основе сегнетоэлектрических пленок состава Ba0,8Sr0,2TiO3. In: X Международная научная конференция «Actual Problems of Solid State Physics», 22-26 мая, Минск, Беларусь
Афанасьев М.С., Белорусов Д.А., Шушарин И.А. Условия формирования сегнетоэлектрических пленок методом ВЧ напыления. In: Сборник тезисов. II международная научно-техническая конференция «ОПТО-, МИКРО- И СВЧ- ЭЛЕКТРОНИКА–2022», 21-23 сентября 2022г., Беларусь, г. Минск , р. 17.
Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Чучева Г.В. Сверхтонкие (3.7 нм) слои окисла кремния с низкой концентрацией оборванных связей на контакте с полупроводником. In: II международная научно-техническая конференция «ОПТО-, МИКРО- И СВЧ- ЭЛЕКТРОНИКА–2022», 21–23 сентября 2022 года, Беларусь, г. Минск , р. 11.
Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Чучева Г.В. Слабое проявление эффекта поля в структурах металл-диэлектрик-полупроводник с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем BaxSr1-xTiO3. In: 32-я Международная конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 11-17 сентября 2022год, Крым, г. Севастополь (В прессе)
Афанасьев М.С., Белорусов Д.А., Шушарин И.А., Чучева Г.В. Влияние материала верхнего электрода на электро- физические свойства МДП структур на основе сегнетоэлектрических пленок. In: Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика». XV Всероссийская научная конференциямолодых ученых (Саратов–2020.8-10 сентября) к, 8 - 10 сентября 2020, Саратов , Саратов, издательство «Техно-Декор» , С. 37-38.
Афанасьев М.С., Белорусов Д.А., Киселев Д.А., Левашов С.А., Чучева Г.В. МДМ структуры на основе сегнетоэлектрических пленок. In: 28-я международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо 2018), 9-15 сентября 2018г., г. Севастополь, Россия , Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Севастопольский государственный университет" (Севастополь)
Афанасьев М.С., Белорусов Д.А., Киселев Д.А., Чучева Г.В. Влияние температуры на диэлектрическую проницаемость сегнетоэлектрических структур. In: Кластер конференций 2018. Х Международная научная конференция «Кинетика и механизм кристаллизации. Кристаллизация и материалы нового поколения», 1-6 июля 2018г., г. Суздаль, Россия , АО «Ивановский издательский дом» , С. 413-414.
Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Набиев А.Э., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. О физической природе повышения проводимости канала инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого стресса. In: XIII Всероссийская научная конференция молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика», 4-6 сентября 2018г., г. Саратов, Россия , "Техно-Декор" , С. 28-29.
Афанасьев М.С., Белорусов Д.А., Киселев Д.А., Левашов С.А., Сивов А.А., Чучева Г.В. Влияние температуры синтеза и материала буферного слоя кремниевых подложек на электрофизические характеристики пленок BаxSr1-xTiО3. In: XIII Всероссийская научная конференция молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика», 4-6 сентября 2018г., г. Саратов, Россия , "Техно-Декор" , С. 170-171.
