Объекты, где автором является "Алтухов И.В."

На уровень вверх
Экспорт в [feed] Atom [feed] RSS 1.0 [feed] RSS 2.0
Группировка по: Тип объекта | Нет группировки
Количество объектов: 16.

Статья

Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Родионов Н.Б, Большаков А.П., Ральченко В.Г., Хмельницкий Р.А. Транспорт дырок в монокристаллическом алмазе, легированном бором, в сильных электрических полях. статья в сборнике трудов конференции Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение , 2018 .

Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Васильевский И.С., Виниченко А.Н. Туннельный транспорт в сверхрешётках GaAs/AlAs с электрическими доменами. статья в сборнике трудов конференции Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение , 2018 .

Алтухов И.В., Дижур С.Е., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Васильевский И.С., Виниченко А.Н. Проводимость сверхрешёток GaAs/AlAs с электрическими доменами. статья в сборнике трудов конференции 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники , 2017 .

Алтухов И.В., Дижур С.Е., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Буравлев А.Д., Васильев А.П., Задиранов Ю.М., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Устинов В.М. Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs. Письма в ЖЭТФ , 2016 , 103 (2). С. 128-131.

Папроцкий С.К., Алтухов И.В., Каган М.С., Дижур С.Е., Хвальковский Н.А., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Задиранов Ю.М., Буравлёв А.Д., Васильев А.П., Устинов В.М., Баранов А.Н., Тесье Р. Туннельная проводимость короткопериодных сверхрешеток с ТГц резонатором. ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (электронный журнал) , 2016 (12). ISSN 1684-1719

Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Задиранов Ю.М., Буравлев А.Д., Васильев А.П., Устинов В.М. Короткопериодные сверхрешетки GaAs/AlAs в ТГц оптическом резонаторе. Сб. «Наноструктуры: физика и технология», СПб научный форум «Наука и общество» , 2015 , 2 (2). С. 196-201.

Орлова Е.Е., Антонов А.В., Hovenier J.N., Klaassen T.O., Adam A.J.L., Каган М.С., Алтухов И.В., Vinh N.Q., Carder D.A., Phillips P.J., Redlich B. Измерение времен жизни примесных состояний методом накачки и пробного импульса в условиях двухступенчатой фотоионизации. Труды XIX Международного симпозиума Нанофизика и Наноэлектроника , 2015 , 2. С. 609-610.

Папроцкий С.К., Каган М.С., Алтухов И.В. Нерезонансное туннелирование в сверхрешётках InAs/AlSb с оптическим резонатором. Нелинейный мир , 2015 , 13 (2). С. 38-40. ISSN 2070-0970

Каган М.С., Алтухов И.В., Баранов А.Н., Ильинская Н.Д., Папроцкий С.К., Тесье Р., Усикова А.А. Проявление эффекта Пёрселла в проводимости короткопериодных сверхрешеток InAs/AlSb. Физика и техника полупроводников , 2013 , 47 (11). С. 1489-1492. ISSN 0015-3222

Каган М.С., Алтухов И.В., Баранов А.Н., Ильинская Н.Д., Папроцкий С.К., Тесье Р., Усикова А.А. Проявление эффекта Пёрселла в проводимости короткопериодных сверхрешеток InAs/AlSb. Труды 17 Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» , 2013 , 1. С. 456-457.

Доклад на конференции или семинаре

Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Родионов Н.Б, Большаков А.П., Ральченко В.Г., Хмельницкий Р.А. Проводимость монокристаллического алмаза, легированного бором, в сильных электрических полях. In: 9-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», 23 мая 2018 г., Национальный Исследовательский Ядерный Университет "МИФИ" , Сборник трудов , С. 28-29.

Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Родионов Н.Б, Большаков А.П., Ральченко В.Г., Хмельницкий Р.А. Транспорт в алмазных вертикальных диодах. In: XXII Международный симпозиум Нанофизика и Наноэлектроника, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород , Труды XXII Межд. симп. Нанофизика и Наноэлектроника , р. 536.

Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Васильевский И.С., Виниченко А.Н. Электрические домены в сверхрешетках GaAs/AlAs с распределенным ТГц резонатором. In: XXII Межд. симп. Нанофизика и Наноэлектроника, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород , Труды XXII Межд. симп. Нанофизика и Наноэлектроника , р. 538.

Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Васильевский И.С., Виниченко А.Н. Туннельная проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs с электрическими доменами при комнатной температуре. In: 9-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», 23 мая 2018 г., Национальный Исследовательский Ядерный Университет "МИФИ" , Сборник трудов. , С. 68-69.

Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Баранов А.Н., Тесье Р., Буравлев А.Д., Васильев А.П., Задиранов Ю.М., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Устинов В.М. Электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках с распределенным ТГц резонатором. In: XXI Межд. симп. Нанофизика и Наноэлектроника, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород , Труды XXI Межд. симп. Нанофизика и Наноэлектроника , р. 499.

Папроцкий С.К., Алтухов И.В., Каган М.С., Дижур С.Е., Хвальковский Н.А., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Задиранов Ю.М., Буравлев А.Д., Васильев А.П., Устинов В.М., Баранов А.Н., Тесье Р. Туннельная проводимость короткопериодных сверхрешёток с ТГц резонатором. In: IV Всероссийская Микроволновая конференция, 23-25 ноября 2016 г., Москва, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН , Cборник трудов IV Всероссийской микроволновой конференции , С. 363-367.

Этот список был создан Mon May 6 08:48:22 2024 GMT-3.