 | На уровень вверх |
Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Родионов Н.Б, Большаков А.П., Ральченко В.Г., Хмельницкий Р.А. Транспорт дырок в монокристаллическом алмазе, легированном бором, в сильных электрических полях. статья в сборнике трудов конференции Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение , 2018 .
Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Родионов Н.Б, Большаков А.П., Ральченко В.Г., Хмельницкий Р.А. Проводимость монокристаллического алмаза, легированного бором, в сильных электрических полях. In: 9-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», 23 мая 2018 г., Национальный Исследовательский Ядерный Университет "МИФИ" , Сборник трудов , С. 28-29.
Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Родионов Н.Б, Большаков А.П., Ральченко В.Г., Хмельницкий Р.А. Транспорт в алмазных вертикальных диодах. In: XXII Международный симпозиум Нанофизика и Наноэлектроника, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород , Труды XXII Межд. симп. Нанофизика и Наноэлектроника , р. 536.
Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Васильевский И.С., Виниченко А.Н. Электрические домены в сверхрешетках GaAs/AlAs с распределенным ТГц резонатором. In: XXII Межд. симп. Нанофизика и Наноэлектроника, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород , Труды XXII Межд. симп. Нанофизика и Наноэлектроника , р. 538.
Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Васильевский И.С., Виниченко А.Н. Туннельная проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs с электрическими доменами при комнатной температуре. In: 9-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», 23 мая 2018 г., Национальный Исследовательский Ядерный Университет "МИФИ" , Сборник трудов. , С. 68-69.
Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Васильевский И.С., Виниченко А.Н. Туннельный транспорт в сверхрешётках GaAs/AlAs с электрическими доменами. статья в сборнике трудов конференции Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение , 2018 .
Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Баранов А.Н., Тесье Р., Буравлев А.Д., Васильев А.П., Задиранов Ю.М., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Устинов В.М. Электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках с распределенным ТГц резонатором. In: XXI Межд. симп. Нанофизика и Наноэлектроника, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород , Труды XXI Межд. симп. Нанофизика и Наноэлектроника , р. 499.
Алтухов И.В., Дижур С.Е., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Васильевский И.С., Виниченко А.Н. Проводимость сверхрешёток GaAs/AlAs с электрическими доменами. статья в сборнике трудов конференции 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники , 2017 .
Алтухов И.В., Дижур С.Е., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Буравлев А.Д., Васильев А.П., Задиранов Ю.М., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Устинов В.М. Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs. Письма в ЖЭТФ , 2016 , 103 (2). С. 128-131.
Папроцкий С.К., Алтухов И.В., Каган М.С., Дижур С.Е., Хвальковский Н.А., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Задиранов Ю.М., Буравлёв А.Д., Васильев А.П., Устинов В.М., Баранов А.Н., Тесье Р. Туннельная проводимость короткопериодных сверхрешеток с ТГц резонатором. ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (электронный журнал) , 2016 (12). ISSN 1684-1719
Папроцкий С.К., Алтухов И.В., Каган М.С., Дижур С.Е., Хвальковский Н.А., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Задиранов Ю.М., Буравлев А.Д., Васильев А.П., Устинов В.М., Баранов А.Н., Тесье Р. Туннельная проводимость короткопериодных сверхрешёток с ТГц резонатором. In: IV Всероссийская Микроволновая конференция, 23-25 ноября 2016 г., Москва, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН , Cборник трудов IV Всероссийской микроволновой конференции , С. 363-367.
Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Задиранов Ю.М., Буравлев А.Д., Васильев А.П., Устинов В.М. Короткопериодные сверхрешетки GaAs/AlAs в ТГц оптическом резонаторе. Сб. «Наноструктуры: физика и технология», СПб научный форум «Наука и общество» , 2015 , 2 (2). С. 196-201.
Орлова Е.Е., Антонов А.В., Hovenier J.N., Klaassen T.O., Adam A.J.L., Каган М.С., Алтухов И.В., Vinh N.Q., Carder D.A., Phillips P.J., Redlich B. Измерение времен жизни примесных состояний методом накачки и пробного импульса в условиях двухступенчатой фотоионизации. Труды XIX Международного симпозиума Нанофизика и Наноэлектроника , 2015 , 2. С. 609-610.
Папроцкий С.К., Каган М.С., Алтухов И.В. Нерезонансное туннелирование в сверхрешётках InAs/AlSb с оптическим резонатором. Нелинейный мир , 2015 , 13 (2). С. 38-40. ISSN 2070-0970
Каган М.С., Алтухов И.В., Баранов А.Н., Ильинская Н.Д., Папроцкий С.К., Тесье Р., Усикова А.А. Проявление эффекта Пёрселла в проводимости короткопериодных сверхрешеток InAs/AlSb. Физика и техника полупроводников , 2013 , 47 (11). С. 1489-1492. ISSN 0015-3222
Каган М.С., Алтухов И.В., Баранов А.Н., Ильинская Н.Д., Папроцкий С.К., Тесье Р., Усикова А.А. Проявление эффекта Пёрселла в проводимости короткопериодных сверхрешеток InAs/AlSb. Труды 17 Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» , 2013 , 1. С. 456-457.
