Рентгеновские детекторы на основе эпитаксиальных структур GaAs в режиме мягкого и жесткого облучения

Дикаев Ю.М., Кудряшов А.А. Рентгеновские детекторы на основе эпитаксиальных структур GaAs в режиме мягкого и жесткого облучения. Биомедицинская Радиоэлектроника , 2024 (1). ISSN 1560-4136

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	176 лаб. твердотельной электроники миллиметрового диапазона
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/9971

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект