Гольдман Е.И., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. О ВЛИЯНИИ ИОННОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ ТРАНЗИСТОРНЫХ Si-СТРУКТУР НА ПРОВОДИМОСТЬ КАНАЛОВ ИНВЕРСИИ p-ТИПА. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2019 . ISSN 0033-8494
|
Текст
elibrary_39324194_41115701.pdf Загрузить (338kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
В диапазоне значений индукции поперечного магнитного поля 0…4.5 Тл при температурах 100…200 К проведены измерения проводимости канала инверсии p-типа транзисторных Si-структур после ионной поляризации и деполяризации образцов. Найдено, что в процессе поляризации при температуре 420 К под действием сильного электрического поля в окисле перетекало порядка 6.5 × 1011 см–2 ионов. Обнаружено, что до порога открытия канала проводимость в цепи исток-сток реализуется за счет термоактивации носителей заряда на уровень протекания в неупорядоченном потенциале, созданном хаотическим распределением ионов вдоль поверхности полупроводника. Показано, что после открытия канала (пересечения уровня Ферми дырок на поверхности полупроводника с уровнем протекания в хаотическом потенциале) ионы проявляются в проводимости как дополнительные рассеивающие центры и, поэтому, в поляризованном состоянии эффективная подвижность канала меньше, чем в деполяризованном.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/9915 |
 |
Изменить объект |
