Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Крюков Р.Н., Кудрин А.В., Кузнецов Ю.М., Кунькова З.Э., Лесников В.П., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Питиримова Е.А., Руковишников А.И. Импульсный лазерный отжиг слоев GaAs, легированных атомами переходных 3d элементов. In: Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 9–12 марта 2021 г., г. Нижний Новгород , 150 (т.1)-151.
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
Экспериментально установлено, что использование одиночных импульсов эксимерного KrF лазера для отжига GaAs, сильнолегированного Mn и Fe, позволяет формировать слои ферромагнитного полупроводника. Исследованы структура, электрические и оптические свойства полученных слоев. Показано, что ферромагнитные свойства (аномальный эффект Холла и отрицательное магнетосопротивление) наблюдаются для GaAs:Fe вплоть до 300 К.
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Постер) |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 197 лаб. функциональной электроники 218 лаб. химических методов технологии и анализа |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/9747 |
 |
Изменить объект |
