Темирязева М.П., Нежданов А.В., Дикарева Н.В., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Антонов И.Н., Звонков Б.Н. Формирование вертикального графена на поверхности арсенид-галлиевых структур. Физика твердого тела , 2023 , 65 (4). р. 669. ISSN 0367-3294
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
Изучены свойства углеродных слоев (C-слоев), сформированных термическим разложением CCl4 при температурах 600-700oC на поверхности арсенид-галлиевых структур, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии на пластинах n+-GaAs(100). Морфология поверхности C-слоев исследована с использованием атомно-силовой микроскопии. Структурные и оптические свойства изучены с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии отражения. Обнаружено, что в случае C-слоя, изготовленного при температуре 650-700oС, изображение атомно-силовой микроскопии демонстрирует наличие вертикальных углеродных наностенок (вертикального графена), расположенных параллельно одному из направлений [110] кристаллической решетки GaAs. Характеристики полос, наблюдаемых в спектрах комбинационного рассеяния света, соответствуют параметрам спектров вертикального графена. Коэффициент отражения таких углеродных слоев существенно уменьшается (диффузное отражение не превышает 25% для слоя, изготовленного при 700oС) в диапазоне длин волн от 0.19 до 1.8 μm. Наличие значительной "поглощательной" способности делает полученные углеродные слои перспективными в качестве проводящего контакта в приборных фоточувствительных полупроводниковых структурах, что подтверждается предварительными результатами исследований вольтамперных характеристик и спектральных зависимостей фототока. Ключевые слова: термическое разложение четыреххлористого углерода, арсенид галлия, морфология вертикального графена
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 196 лаб. спин-волновых процессов в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/9584 |
 |
Изменить объект |
