Belorusov D. A., Goldman E.I., Chucheva G.V. Ultrathin (3.7 nm) Silicon Oxide Layers with a Low Concentration of Broken Bonds on the Contact with a Semiconductor. Journal of Communications Technology and Electronics , 2023 . ISSN 1064-2269
Это последняя версия данного объекта.
|
Текст
S1064226922130162.pdf Загрузить (307kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Results of studies of ultrathin silicon oxide (37 Å)–polysilicon structures as prospects of substrates for objects with ferroelectric insulating layers are presented. It turned out that in structures with SiO2 obtained by high-temperature oxidation, there are low leakage currents associated with tunneling conduction, and the concentration of localized electronic states is three orders of magnitude lower than in objects with native oxide. These circumstances open prospects of creating ferroelectric FeRAM non-volatile memory cells operating on such silicon oxide.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Чучева Г.В. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел 250 лаб. сегнетоэлектрических материалов и устройств |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/9495 |
Доступные версии этого объекта
-
Ultrathin (3.7 nm) Silicon Oxide Layers with a Low Concentration of Broken Bonds on the Contact with a Semiconductor. (deposited 20 Окт 2023 18:53)
- Ultrathin (3.7 nm) Silicon Oxide Layers with a Low Concentration of Broken Bonds on the Contact with a Semiconductor. (deposited 30 Окт 2023 09:38) [В настоящее время Отображен]
 |
Изменить объект |
