Ходаков А.М., Сергеев В.А., Фролов И.В. Влияние неоднородности распределения дефектов в структуре InGaN/GaN светодиода на оптическую мощность излучения. Радиоэлектронная техника: межвузовский сборник научных трудов. – Ульяновск : УлГТУ, 2019. – С. 54-58. , 2019 .
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
Влияние неоднородности распределения дефектов в структуре InGaN/GaN светодиода на оптическую мощность излучения
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/9127 |
 |
Изменить объект |
