ФИРЭ им. В.А.Котельникова РАН Эпитаксиальная гетероструктура на арсениде галлия с контактами металл-полупроводник. Заявка № 2021108864, 2021.
Полный текст не доступен из этого репозитория.Тип объекта: | Патент |
---|---|
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 176 лаб. твердотельной электроники миллиметрового диапазона |
URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/9016 |
Изменить объект |