Особенности высокочастотных измерений импеданса структур металл-диэлектрик-полупроводник со сверхтонким окислом.

Гольдман Е.И., Левашова А.И., Левашов С.А., Чучева Г.В. Особенности высокочастотных измерений импеданса структур металл-диэлектрик-полупроводник со сверхтонким окислом. Физика и техника полупроводников , 2015 , 49 (4). С. 483-488. ISSN 0015-3222

Предварительный просмотр

Текст 41629.pdf Загрузить (351kB) | Предварительный просмотр

Аннотация

Рассмотрены возможности использования данных высокочастотных измерений импеданса структур металл−окисел−полупроводник со сверхтонким изолирующим слоем для определения параметров полупроводника и туннельных характеристик диэлектрика. Если точность эксперимента позволяет фиксировать и активную, и реактивную части импеданса, то толщина приповерхностного слоя обеднения, сопротивление базовой части полупроводника, дифференциальная туннельная проводимость изолирующего слоя и дифференциальный, стимулированный туннелированием ток генерации электронно-дырочных пар вычисляются через измеренные на двух частотах значения емкости и проводимости структуры. В случае, когда значения активной части импеданса лежат за пределами точности измерений, анализ параметров возможен при 4-частотной организации опыта по значениям только емкостей при повышенной точности их измерений. Сформулирован тест для необходимой точности данных такого опыта. Если тест не исполняется, то можно определить только емкость поверхностного слоя обеднения в полупроводнике, и при этом достаточно одночастотного опыта.

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/893

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект