Оптический мониторинг процесса осаждения сегнетоэлектрических пленок

Афанасьев М.С., Набиев А.Э., Чучева Г.В. Оптический мониторинг процесса осаждения сегнетоэлектрических пленок. Физика твёрдого тела , 2015 , 57 (7). С. 1354-1357. ISSN 0367-3294

Предварительный просмотр

Текст 41941.pdf Загрузить (253kB) | Предварительный просмотр

Аннотация

Рассматривается метод оптического мониторинга процесса осаждения сегнетоэлектрических пленок состава Ba0.8Sr0.2TiО3, выращенных методом высокочастотного реактивного плазмохимического осаждения. Исследования плазмы в оптическом диапазоне показали, что спектр излучения на длинах волн λ > 450 nm не претерпевает изменений в интервалах варьирования напряжения смещения. При λ = 300−400 nm наблюдается корреляция спектров излучения пленкообразующей среды при различных напряжениях мишень–подложка. Масс-спектры пленкообразующей среды показали, что при напряжениях смещения U = 350−600 V в газовой фазе в основном регистрируются ионизированные частицы с массовым числом 220−240, близким к молярной массе соединения Ba0.8Sr0.2TiО3±x . При U > 650 V наряду с образованием многоатомных частиц в газовой фазе присутствуют ионы с массовыми числами, соответствующими химическому составу компонент мишени BaTiО3, SrTiО3, BaО, SrО. Показано, что на границе раздела фаз существует переходный слой, обогащенный материалом подложки. Установлено, что мониторинг пленкообразующей среды и временной фактор позволяют воспроизводимо выращивать наноразмерные пленки с заданными кристаллохимическими параметрами.

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/891

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект