Сергеев В.А., Фролов И.В., РАДАЕВ О.А. Связь уровня фототока светоизлучающих InGaN/GaN гетероструктур с уровнем НЧ-шума и порогового тока. Известия вузов. Электроника. – 2019. – Т. 24, № 1. – С. 92–96. , 2019 .
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
Связь уровня фототока светоизлучающих InGaN/GaN гетероструктур с уровнем НЧ-шума и порогового тока
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/8898 |
 |
Изменить объект |
