Связь параметров фототока светодиодов на основе GaN гетероструктур с изменением их характеристик при термотоковых испытаниях

Сергеев В.А., Фролов И.В., РАДАЕВ О.А. Связь параметров фототока светодиодов на основе GaN гетероструктур с изменением их характеристик при термотоковых испытаниях. Журнал радиоэлектроники [электронный журнал] , 2019 . ISSN 1684-1719

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Аннотация

Связь параметров фототока светодиодов на основе GaN гетероструктур с изменением их характеристик при термотоковых испытаниях

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/8892

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект