Deposition of Heteroepitaxial Layers of Topological Insulator Bi2Se3 in the Trimethylbismuth–Isopropylselenide–Hydrogen System on the (0001) Al2O3 and (100) GaAs Substrates

Kuznetsov P.I., Luzanov V.A., Yakusheva G.G., Temiryazev A.G., Shchamkhalova B.S., Zhitov V.A., Zakharov L.Yu. Deposition of Heteroepitaxial Layers of Topological Insulator Bi2Se3 in the Trimethylbismuth–Isopropylselenide–Hydrogen System on the (0001) Al2O3 and (100) GaAs Substrates. Journal of Communications Technology and Electronics , 2016 , 61 (2). С. 183-189. ISSN 1064-2269

Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)

Аннотация

Thin solid layers that are formed upon heating of the gaseous trimethylbismuth–isopropylselenide–hydrogen system on the (0001) Al2O3 and singular and vicinal (100) GaAs surfaces are studied. The conditions for deposition of metal Bi and phases of Bi4Se3, BiSe, and topological insulator Bi2Se3 using the MOCVD method are determined. Pure metastable phase BiSe is obtained for the first time. Bi2Se3 films with a thickness of no less than 200 nm, a relatively low volume concentration of 3 ×1018 cm–3, and a high mobility of carriers at 300 K (1000 cm2 V–1 s–1) are fabricated.

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	196 лаб. спин-волновых процессов в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн 215 лаб. проблем субмикронной технологии 216 лаб. технологических процессов твердотельной электроники 218 лаб. химических методов технологии и анализа
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/861

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект