Averin S.V., Kuznetsov P.I., Zhitov V.A., Zakharov L.Yu., Kotov V.M., Alkeev N.V. Wavelength selective UV/visible metal-semiconductor-metal photodetectors. Optical and Quantum Electronics , 2016 , 48. С. 303-314.
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
We report on growth, fabrication and characterization of metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors based on periodic heterostructures with ZnCdS quantum wells separated by ZnMgS and ZnS barrier layers. Heterostructures were grown on semi-insulating GaP substrates by MOVPE. Detecting properties of the MSM-heterophotodiodes have been investigated. We observe electrically tunable spectral response of these detectors. At low bias detectors provide narrowband response at the wavelength 350 nm with FWHM = 18 nm. Increasing bias shifts maximum detector sensitivity at the wavelength 450 nm while narrowband response at 350 nm remains. Thus, a two-color detection of light emission is provided.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Аверин С.В. Кузнецов П.И. Житов В.А. Захаров Л.Ю. Котов В.М. Алкеев Н.В. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 176 лаб. твердотельной электроники миллиметрового диапазона 215 лаб. проблем субмикронной технологии 218 лаб. химических методов технологии и анализа 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/857 |
 |
Изменить объект |
