Бутылкин В.С., Фишер П.С., Крафтмахер Г.А., Казанцев Ю.Н., Калёнов Д.С., Мальцев В.П., Пархоменко М.П. ФОТОИНДУЦИРОВАННАЯ МИКРОВОЛНОВАЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ: ЭКСИТОННЫЙ МЕХАНИЗМ. Радиотехника и электроника , 2023 , 68 (2,). С. 152-156.
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
Существенные различия, наблюдаемые в поведении фотоиндуцированной диэлектрической проницаемости ε полупроводников в гигагерцовом (ГГц) и терагерцовом (ТГц) диапазонах, объясняются в рамках механизма экситонов различным расположением этих диапазонов относительно частот межуровневых переходов экситона. Измерения в ГГц-диапазоне фотоиндуцированного изменения Imε(Pλ) и Reε(Pλ) образцов CdS, CdSe и Si в волноводном резонаторе (f = 4.7 ГГц) и пропускания T образцов Si в свободном пространстве (f = 8…36 ГГц) при волоконно-оптическом облучении (мощность Pλ = 0…370 мВт, λ = 0.97 мкм), обнаруживающие не-друдеподобный отклик, подтверждают выводы теории: увеличение ReεGHz(Pλ) с ростом Pλ и увеличение пропускания T с понижением частоты f при фиксированной мощности Pλ.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 137 лаб. проблем дифракции |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/8492 |
 |
Изменить объект |
