Conductivity of Metal–Dielectric–Semiconductor Structures Based on Ferroelectric Films

Afanasiev M. S., Goldman E.I., Chucheva G.V., Nabiev A.E., Huseinov J. I., Aliev A. M. Conductivity of Metal–Dielectric–Semiconductor Structures Based on Ferroelectric Films. Physics of the Solid State , 2020 , 62 (1). С. 164-167. ISSN 1063-7834

Предварительный просмотр

Текст afanasiev2020.pdf Загрузить (458kB) | Предварительный просмотр

Аннотация

In this paper, we present the results of experimental studies of the frequency and temperature dependences of the electrical conductivity of metal–dielectric semiconductor structures based on ferroelectric films of the Ba0.8Sr0.2TiO3 composition. In the temperature range of 290–400 K and the frequency range of 25–106 Hz, the conductivity was found to obey the σ ∝ f 0.76 law, which is characteristic of the hopping mechanism of charge transfer over states localized near the Fermi level. The density of these states, average distance and time of jumps are estimated.

Тип объекта:	Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!:	Афанасьев М.С., Гольдман Е.И., Чучева Г.В., Набиев А.Э., Гусейнов Дж.И., Алиев А.М.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/7855

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект