Transversal Kerr effect of In1-xMnxAs layers prepared by ion implantation followed by pulsed laser annealing

Gan’shina E., Golik L., Kun’kova Z., Bykov I., Novikov A., Rukovishnikov A., Yuan Ye, Zykov G. Transversal Kerr effect of In1-xMnxAs layers prepared by ion implantation followed by pulsed laser annealing. In: Magnetics and Optics Research International Symposium, Technical Digest, November 29 - December 2 2015, Moris, Malaysia , Toyohashi University of Technology - Universiti Sains Malaysia , С. 37-38.

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Тип объекта:	Доклад на конференции или семинаре (Доклад)
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!:	Ганьшина Е., Голик Л., Кунькова З., Быков И., Новиков А., Руковишников А., Юань Е, Зыков Г.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	197 лаб. функциональной электроники
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/6507

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект