Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением

Кунькова З.Э., Ганьшина Е.А., Голик Л.Л., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Ковалев В.И., Зыков Г.С., Маркин Ю.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н. Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением. Физика твёрдого тела , 2018 , 60 (5). С. 940-946. ISSN 0367-3294

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Аннотация

Слои GaMnAs, сформированные импульсным лазерным осаждением, изучались с помощью экваториального эффекта Керра (ЭЭК), спектральной эллипсометрии, магнитометрии, а также измерений сопротивления и эффекта Холла. Установлены режимы получения магнитно неоднородных слоёв, содержащих обогащенные Mn ферромагнитные области, отличающиеся составом и размерами. Слои, сформированные при температуре 300°С, демонстрируют ферромагнитное поведение ниже 80 K, которое обусловлено присутствием в парамагнитной матрице локальных ферромагнитных областей (Ga,Mn)As. Обсуждается природа особенностей в спектре ЭЭК этих слоёв.

Тип объекта: Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 197 лаб. функциональной электроники
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/6196
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект