Сабликов В.А., Суханов А.А. Электронные состояния немагнитных дефектов в 2D топологических изоляторах. Труды: XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 10–14 марта 2015 г , 2015 , 2. С. 646-647.
|
Текст
Сабликов Суханов Электронные состояния немагн дефектов Труды 2015.pdf - Опубликованная версия Загрузить (1MB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Показано, что немагнитные дефекты с короткодействующим потенциалом в двумерных топологических изоляторах создают два состояния, отличающиеся псевдоспиновой структурой и пространственным распределением электронной плотности. При взаимодействии дефекта с границей образуются краевые состояния, обтекающие дефект, которые характеризуются резонансами спектральной плотности электронов, аккумулированных вблизи дефекта. Взаимодействие резонансов разных типов приводит к образованию связанных состояний в непрерывном спектре.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Сабликов В.А., Суханов А.А. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 199 лаб. теоретических проблем микроэлектроники |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/6070 |
 |
Изменить объект |
