Sharath S. U., Kurian J., Komissinskiy P., Hildebrandt E., Bertaud T., Walczyk C., Calka P., Schroeder T., Alff L. Thickness independent reduced forming voltage in oxygen engineered HfO2 based resistive switching memories. Applied Physics Letters , 2014 , 105 (7). 073505. ISSN 0003-6951
Полный текст не доступен из этого репозитория.
Официальный URL: https://doi.org/10.1063/1.4893605
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Комиссинский Ф. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 233 лаб. физических основ функциональной тонкопленочной оксидной электроники |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/6001 |
 |
Изменить объект |
