Гольдман Е.И., Кухарская Н.Ф., Левашов С.А., Чучева Г.В. Определение параметров структур металл−диэлектрик−полупроводник со сверхтонким изолирующим слоем из высокочастотных вольт-фарадных характеристик. Физика и техника полупроводников , 2019 , 53 (1). С. 46-49. ISSN 0015-3222
|
Текст
Гольдман-Определение пар-ров.pdf Загрузить (134kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Предложена простая численная методика обработки данных высокочастотных вольт-фарадных характеристик структур металл−диэлектрик−полупроводник. Подход основан на анализе экспериментальных характеристик вблизи состояния плоских зон, где перезарядка поверхностных локализованных электронных состояний малосущественна по сравнению с изменением приграничного заряженного слоя в полупроводнике. Развитый аппарат позволяет: во-первых, находить необходимые параметры полупроводника и изолирующего слоя; во-вторых, получать в диапазоне от плоских зон до глубокого обеднения экспериментальные полевые зависимости изгиба зон в полупроводнике и суммарной концентрации встроенного заряда, заряда пограничных состояний и неосновных носителей заряда на границе раздела полупроводник−диэлектрик. Методика хорошо применима к структурам со сверхтонким изолирующим слоем. На образцах металл−окисел−полупроводник на основе n-Si с толщиной окисла 39A проведена экспериментальная апробация предложенного подхода. Точность полученных результатов составила 2−3%.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/5784 |
 |
Изменить объект |
